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发光二极管阵列中上隔离沟槽的设计与制备

     
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摘要

分析了发光二极管阵列上隔离沟槽的理想尺寸.采用湿法腐蚀方法对金属层、p-GaP层及多层AlGaInP进行了逐层腐蚀,完成了宽2 μm深6 μm的上隔离沟槽的制作.腐蚀后的上隔离沟槽边缘平整,其深度和宽度可以解决注入电流在相邻像素之间产生的干扰问题.

著录项

  • 来源
    《微细加工技术》|2005年第4期|76-80|共5页
  • 作者

    金霞; 梁静秋; 李佳; 赵莉娜; 王维彪;

  • 作者单位

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,应用光学国家重点实验室,长春,130031;

    中国科学院研究生院,北京,100039;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,应用光学国家重点实验室,长春,130031;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,应用光学国家重点实验室,长春,130031;

    中国科学院研究生院,北京,100039;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,应用光学国家重点实验室,长春,130031;

    中国科学院研究生院,北京,100039;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春,130031;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 半导体二极管;
  • 关键词

    微显示器件; 发光二极管阵列; 隔离沟槽; 湿法腐蚀; 欧姆接触; AlGaInP; GaP;

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