隔离技术属于《中国图书分类法》中的六级类目，该分类相关的期刊文献有22篇，会议文献有8篇，学位文献有5篇等，隔离技术的主要作者有冯建、冯旭东、刘阳，隔离技术的主要机构有电子工业部第24研究所、东华大学材料科学与工程学院、中国电子科技集团公司第二十四研究所等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、 学位论文、 会议论文
1.[期刊]
摘要： ＳＯＩ材料的全介质隔离技术与高频互补双极工艺的结合是研制抗辐照能力强、频带宽、速度高的集成运算放大器的理想途径。从实验的角度提出了一种ＳＯＩ材料全介质隔离与高...
2.[期刊]
摘要： 利用超细ZrO2在ZnO-B2O3-SiO2微晶玻璃中的同素异构转变带来的体积效应来增加二极管封装玻璃的韧性和二极管的可靠性。在ZnO-B2O3-SiO2微晶...
3.[期刊]
摘要： 集成电路器件的特征尺寸进入深亚微米时代后,由于微细化和性能方面的影响,一些传统的器件结构将不再适用。传统的本征氧化隔离技术由于漏电流、平坦化、高温再分布等方面...
4.[期刊]
摘要： 本文叙述了在反应离子刻蚀（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ）系统中采用无碳含氟原子刻蚀气体（ＳＦ＿６，ＮＦ＿３）对硅的深槽刻蚀；分析了真空压力、射频功率、...
5.[期刊]
摘要： 用有限元模拟研究了板上芯片固化后残余应力的分布 .在 FR4及陶瓷分别作基板的两种情况下 ,残余应力分布最显著的差异是等效应力分布不同 .讨论了基板厚度及粘合...
6.[期刊]
摘要： 硅 -硅键合晶片在机械减薄过程中产生的应力使硅片产生弯曲变形 ,这种变形在其后的加工过程中会使图形发生扭曲或位移 ,导致硅片加工中途报废。经过应力消除处理后可...
7.[期刊]
摘要： 本文介绍了一种以传统多晶硅栅ＶＤＭＯＳ工艺为主的新型自隔离智能功率集成工艺技术。该技术可以将ＶＤＭＯＳ、ＨＶ－ＣＭＯＳ、ＬＶ－ＣＭＯＳ、ｎｐｎ双极晶体管、齐纳...
8.[期刊]
摘要： 集成电路封装技术变得越来越复杂,其制造的故障分析(FA)十分复杂。介绍了用时域反射仪对先进封装中的故障隔离技术,这种尝试是通过比较法进行研究的。通过在球栅阵列...
9.[期刊]
摘要： 集成电路封装技术变得越来越复杂,其制造的故障分析(FA)十分复杂。介绍了用时域反射仪对先进封装中的故障隔离技术,这种尝试是通过比较法进行研究的。通过在球栅阵列...
10.[期刊]
摘要： GaN晶体管相对于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件有更小的导通电阻和栅电荷,在高速、高功率密度应用中独具优势.高速高能效电平转换器作为高侧栅极...
11.[期刊]
摘要： PE silicon nitride film,because of its excellent physical and chemical properti...
12.[期刊]
摘要： 介绍了SOI压力传感器的制作工艺,并且通过有限元软件对传感器输出特性进行模拟,模拟结果与实际测得结果是相符的.对SOI压力传感器测量结果表明,当温度增加到22...
13.[期刊]
摘要：
14.[期刊]
摘要： Tokyo Electron Limited has already released CVD Ti/TiN system for contact and c...
15.[期刊]
摘要： Techni—Met公司推出一种平面化薄膜，适用于那些需要产品具有优异的水、氧气和光学特性的隔离应用。这种真空阻挡涂层技术针对航空航天、国防、汽车、医疗、电池...
16.[期刊]
摘要： 监控系统前端模拟量的隔离和调理对于正确地完成监控功能很重要.本文介绍了一种采用精密线性光耦TIL300实现的模拟量的隔离电路,并根据作者的实际使用,对结果进行...
17.[期刊]
摘要： 针对IGBT驱动电路的特点，本文分析了一种新型智能集成光电隔离驱动器ACPL332J的工作原理．并详细介绍了其保护控制逻辑和驱动设计中所注意的一些问题相比较其...
18.[期刊]
摘要：
19.[期刊]
摘要： 对影响电感耦合等离子(ICP)刻蚀侧壁形貌的工艺参数进行了分析,通过改变刻蚀/钝化周期、平板电极功率、钝化气体C4F8流量以及重叠周期等工艺参数,对侧壁的形貌...
20.[期刊]
摘要： 数控机床广泛应用于机械加工领域,通过对数控机床电气控制系统工作原理以及数控机床常见干扰的分析,探讨了相关的电气隔离技术,提出了数控机床抑制干扰而采取的电气隔离...
