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低剂量SIMOX圆片研究

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用剖面透射电镜、高分辨电镜以及化学增强腐蚀法和Cu-plating表征了低剂量SIMOX圆片的结构特征.结果显示,选择恰当的剂量能量窗口,低剂量SIMOX圆片表层Si单晶质量好、线缺陷密度低、埋层厚度均匀、埋层硅岛密度低、且硅/二氧化硅界面陡峭.这些研究表明,低剂量SIMOX圆片制备工艺是很有前途的SOI制备工艺.

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来源
《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》|2001年|305-307|共3页
会议地点昆明
作者
陈猛; 陈静; 张峰; 李炜; 徐彦芬; 陈可炜; 王湘; 刘相华; 王曦;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
SOI材料; SIMOX圆片; 注入能量; 剂量;

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