半导体器件制造工艺及设备属于《中国图书分类法》中的五级类目,该分类相关的期刊文献有9822篇,会议文献有2068篇,学位文献有3121篇等,半导体器件制造工艺及设备的主要作者有刘玉岭、鲜飞、翁寿松,半导体器件制造工艺及设备的主要机构有中国电子科技集团公司第四十五研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子科技集团公司第58研究所等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、 学位论文、 会议论文
1.[期刊]
摘要: 惯性器件、射频器件和光电器件等微机电系统(MEMS)已广泛应用于国防、医疗、生物科技行业。随着半导体器件封装技术的进步,MEMS器件也进一步朝低功耗、高集成度...
2.[期刊]
摘要: 金刚线切割多晶硅片表面减反射结构难以制备的问题阻碍着多晶硅光伏的进步。银辅助的酸腐蚀是解决这一问题的较好方法,但银的消耗和废液处理等增加了成本。本研究提出了醋...
3.[期刊]
摘要: 高温工作探测器是第三代红外焦平面发展的重要方向之一。带间级联探测器结合了势垒结构与多级吸收区结构的特点,通过多量子阱弛豫和隧穿实现光生载流子单方向输运,可以有...
4.[期刊]
摘要: 在铜互连阻挡层化学机械抛光(CMP)过程中,由于工艺和材料等因素会产生划伤和沾污等缺陷问题,造成器件失效、良率降低及潜在可靠性等问题。研究了抛光液中活性剂及超...
5.[期刊]
摘要: 红外光电探测技术通常工作在无源被动的传感模式,具有作用距离远、抗干扰性好、穿透烟尘雾霾能力强、全天时工作等优点,在航天遥感、军事装备、天文探测等方面都有广泛应...
6.[期刊]
摘要: 为了解决目前GaAs光导开关成品率低、稳定性差和可靠性低等问题,提出了GaAs光导开关的关键电极制备工艺解决方案。该方案首先以半绝缘GaAs材料作为衬底,利用...
7.[期刊]
摘要: 大面积纳米压印技术是一种利用模板压印方法大规模制备大面积微纳米结构的图形化技术,具有重复性好、成本低及结构分辨率高等优点。对各类聚合物及介质的快速结构成型使得...
8.[期刊]
摘要: 本文设计了一种新型UVC LED封装结构,该结构可以有效提升封装器件的外量子阱效率。通过实验测试发现,在UVC芯片相同的前提下,新的UVC LED封装结构的辐...
9.[期刊]
摘要: 新型XCDA纯化器纯化后的10N超高纯压缩空气,广泛应用于集成电路12寸14~28nm高端产线及第三代半导体等新兴领域,是半导体核心ASML光刻机生产中主要使...
10.[期刊]
摘要: 微机电系统(MEMS)陀螺需要真空封装以确保其检测精度,晶圆级真空封装可以使MEMS微结构避免芯片切割过程中的粘连以及颗粒污染,提高芯片的成品率。为实现MEM...
11.[期刊]
摘要: 曝光工艺中经离心涂敷后抗蚀剂胶层的均匀性对曝光线宽有很大的影响。为了得到高速旋转下抗蚀剂胶体在凹面衬底上所形成膜层厚度的均匀性,在凹面衬底上建立了非牛顿流体微...
12.[期刊]
摘要: 基于空间光调制器的无掩膜光刻是光刻技术重要发展方向之一。近年来,随着数字微镜器件芯片集成度与性能的提高,数字微镜器件无掩膜光刻成为一种主要的数字光刻技术。由于...
13.[期刊]
摘要: 为实现硅片高质量表面的超精密磨削,研究了5000目、8000目和30000目金刚石砂轮磨削硅片的表面质量。利用数学模型预测了硅片磨削表面的粗糙度Ra并对预测结...
14.[期刊]
摘要: 射频电賂在移动通信终端和雷达前端等电子系统中占据了较大比例的面积和体积,且现有射频集成方式无法实现无源电路的微型化、多功能化、一体化系统集成,成为系统小型化集...
15.[期刊]
摘要: ZnO气敏传感器因其具有灵敏度高、响应快等优点受到人们的重视。掺杂是一种重要的改性方法,可改善材料的气敏性能。本文综述了主族及过渡金属掺杂、金属氧化物掺杂、稀...
16.[期刊]
摘要: 在针对芯片的“卡脖子”技术中,极紫外(EUV)光刻是最重要的一环。EUV光刻技术已经被广泛应用于最先进工艺节点的集成电路芯片制造之中。它的研发交叉融合了光学、...
17.[期刊]
摘要: 本文详细介绍了焊膏的组成、特性及使用要求。作为一种重要的电子耗材,焊膏的性能对SMT生产有着举足轻重的影响,优良的焊膏是综合性能达到完美平衡的体现。但是,品质...
18.[期刊]
摘要: 对矩形波宽带通滤光片进行了深入研究,提出了一种设计、制备矩形波宽带通滤光片的方法。使用该方法设计并制备了400 nm~1 100 nm波段,中心波长λ0=51...
19.[期刊]
摘要: 提出并演示了利用宽束离子束刻蚀方法一次性对多个杠铃形金属纳米结构进行“横向抽减”,形成极小纳米间隙,从而实现多个金属纳米间隙结构的快速加工。利用电子束曝光定义...
20.[期刊]
摘要: 随着芯片向小型化、集成化和高功率化发展,其在工作时产生的热量增多,若产生的热量不能及时传递到外部,会严重影响电子元件的性能和使用寿命。热界面材料是电子元件散热...
1.[会议]
摘要: 在半导体行业中,静电放电是导致半导体器件失效的主要原因之一,接地连接系统作为静电防护系统中基础环节,起着重要的保障作用.深入分析半导体工艺的前道工艺流程和后道...
2.[会议]
摘要: 本文针对H+注入到硅中形成的缺陷浓度分布,采用STRIM软件进行了仿真.分析了注入损伤和不同退火条件下H+浓度分布对施主掺杂的影响,建立了H+注入掺杂分布的解...
3.[会议]
摘要: 首先概述了国内外本征阻燃环氧树脂、低介电环氧树脂的生产开发现状,以及圣泉为应对5G发展的本征阻燃、低介电环氧树脂产品开发进展。
4.[会议]
摘要: 本文阐述了新政策下背板降本带来的质量风险,介绍了回天背板解决方案,自主配方、自主造粒、流延吹膜双工艺成膜,确保材料性能的一致性和稳定性,聚酯多元醇的合成、自主...
5.[会议]
摘要: 本文阐述了聚烯烃弹性体POE封装膜帮助延长组件寿命,降低整个组件寿命内的系统成本,提高发电量和可靠性,延长组件寿命,改进抗PID性能,降低组件的失效率和更换率。
6.[会议]
摘要: 铟镓锌氧(IGZO)薄膜晶体管具有较高的迁移率、良好的稳定性以及柔韧性,被视为显示领域和集成电路领域里最有发展前景的器件之一,已成为科研界的研究热点.为了实现...
7.[会议]
摘要: 近年来,以非晶铟镓锌氧(IGZO)薄膜为代表的非晶氧化物半导体受到了研究人员的广泛关注.这是因为它的制成温度低,载流子迁移率高,且大面积均匀性好.然而,由于自...
8.[会议]
摘要: 本文论述了阻燃环氧树脂在电子封装领域的应用和发展动态.并概述了对现代电子封装用环氧树脂的阻燃新要求.
9.[会议]
摘要: 现有游离(固结)磨料多线切割方法仍属于非刚性切割,在切割过程中金属切割线必然变形从而不断对切割硅片产生瞬间的冲击作用;同时,还要兼顾切缝内钢丝的冷却问题,要使...
10.[会议]
摘要: 针对EVA封装双玻组件存在的问题,对紫外有/无截止EVA、白色高反EVA、光转换EVA胶膜、UV固化型、紫外有/无截止POE的封装方案进行比较,发现交联速率过...
11.[会议]
摘要: 企业概况浙江瑞翌新材料科技股份有限公司成立于2011年10月,位于嘉兴秀洲国家高新技术产业园区;公司15年度被评为国家高新技术企业,同年在新三板成功上市;致力...
12.[会议]
Progress of "Design for System" Solar Cells/Module products
摘要: 协鑫集成科技股份有限公司(002506.SZ)系全球领先的一站式综合能源服务解决方案提供商及服务商,公司将打造成为轻制造、重服务的系统集成和服务领域的龙头企业...
13.[会议]
摘要: 介绍了切割模型简介,切割工艺优化,结论割速度,切割模型简介在自由磨料线锯切片过程中,流体动压力使磨料压紧硅晶体,增加了材料去除速率.T为钢线上所加的张力,与使...
14.[会议]
摘要: 介绍了公司介绍,金刚线切多晶硅片,常规制绒工艺进展,纳微绒面(黑硅)电池工艺研究与表征中节能干法/湿法黑硅工艺进展,未来前景与挑战,公司介绍中国节能环保领域最...
15.[会议]
摘要: 上机第三代设备技术参数及优势对比分析,电镀线和树脂金刚线切割对比分析,细线化技术路线垂直工艺分析,单多晶电镀线切割成本分析,客户数据分享等。
16.[会议]
Speed Accuracy in Wafer Handling,Printing and Testing
摘要: 超细正银栅线印刷、德国制造,中国服务、设备高产能与硅片低速度、超高二次叠印精度、运动网版保证恒定的印刷角度。
17.[会议]
摘要: 介绍了研究背景,硅纳米阵列结构的制备,硅纳米阵列结构光学特性研究与结构设计硅纳米阵列结构在太阳能电池上的应用研究总结。
18.[会议]
摘要: 介绍了湿法黑硅与研究进展,总结和展望,湿法黑硅与CSPV历年CSPV中的湿法黑硅报告,常规HNO3/HF制绒属于各项同性刻蚀,有赖于硅片表面切割损伤层.金刚线...
19.[会议]
摘要: 介绍了硅片损伤层产生机理,测试方法介绍,结果与讨论,第一部分,硅片损伤层产生机理,第一变形区位于磨粒前方及其附近区域.由于压应力产生剪切作用,产生切削、崩出和...
20.[会议]
摘要: 金刚线切割多晶硅片常规酸性湿法制绒问题减反射效果不足切割纹依然可见VE制绒技术研发进展简介机理:蒸气凝结微液滴刻蚀(Semiconductor Sci.Tec...
1.[学位]
摘要: 磁流变抛光(Magnetorheological Finishing,MRF)是一种基于电磁学、流体力学、分析化学等理论的综合技术,可以适用于各种光学表面加工...
2.[学位]
摘要: 硅基硬脆材料微小零件在航空航天、生物工程、微电子工业等尖端行业的应用及需求急剧扩大,同时对该类微小零件的功能结构、表面质量、尺寸精度、使役性能等要求不断提高。...
3.[学位]
摘要: 随着科技不断发展,常用的单晶硅已不能满足其需求。单晶碳化硅材料以其禁带宽度大、热导率高、临界击穿电场高和化学稳定性好等特点,非常适合制作高温、高频、大功率和高...
4.[学位]
摘要: 超浸润表面与水之间存在很强相互作用力,因而水可以在超亲水表面上迅速铺展开,使得接触角等于或接近0。超浸润表面,尤其是超亲水表面,在自清洁、防雾、防污、油水分离...
5.[学位]
纳米银烧结压接封装IGBT器件的电--热--力多物理场建模及失效分析
摘要: 压接型IGBT(Press Pack Insulated Gate Bipolar Transistor)器件具有高功率密度、双面散热、失效短路等优点,适合柔...
6.[学位]
Al2O3基薄膜型a-IGZO肖特基势垒二极管制备及高温特性研究
摘要: 目前地热和井油海上开采等实时温度和气动参数的测试对测试系统中应用到的半导体器件提出了更高的要求,包括器件的材料、结构设计、封装配置等,要求能够在恶劣环境中具有...
7.[学位]
摘要: GaN及其合金化合物(InGaN、AlGaN等)作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的代表,由于Ⅲ族氮化物半导体材料属于直接带隙半导体并且拥有变化范围很大的带隙宽度,...
8.[学位]
摘要: 单晶硅切片只有5%的厚度用于芯片制造,其余部分均在减薄加工中去除,并且晶圆只有表层厚度的1%用于芯片电子结构的制造,而其余部分只是用于保证芯片在加工中所需的机...
9.[学位]
摘要: 随着信息技术的不断发展,人工智能、云存储、大数据等新兴产业开始影响我们的生活。伴随这些新兴产业的崛起,集成电路器件的性能越来越成为决定新兴产业发展速度的关键因...
10.[学位]
极化库仑场散射对凹栅槽AlGaN/GaN异质结场效应晶体管器件特性影响研究
摘要: 本论文分别以有无栅槽、栅长和源漏间距为唯一变量制备AlGaN/GaN HFETs,对比探究PCF散射对凹槽栅耗尽型AlGaN/GaNHFETs器件2DEG电子...
11.[学位]
摘要: 在有机—无机复合半导体材料中,通过调节有机组分和无机组分及其界面状态,可以实现二者的优势互补,也因此引起越来越多的关注。其中,金属有机钙钛矿材料因具有吸光能力...