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李剑锋; 刘学军; 段大志;
中国电子学会;
铯; 阈值电压; 二次掺杂; 掺杂机理; 工艺监控; MOS器件;
机译:具有耗尽型PtSi肖特基势垒触点和掺杂剂隔离功能的全耗尽UTB和Trigate N沟道MOSFET
机译:具有有限掺杂体的全耗尽型环绕栅MOSFET(SGMOSFET)的显式连续电流电压(I-V)模型
机译:论非掺杂MOSFET在部分耗尽SOI CMOS工艺中用于模拟应用的巨大潜力
机译:10nm栅极长度完全耗尽的N型SOI MOSFET的源/漏掺杂分布的仿真研究
机译:适用于部分耗尽型绝缘体上硅(SOI)MOSFET的面积有效体接触。
机译:土壤中放射性铯的动力学及其对高等植物吸收铯的机理:新阐明的水稻对铯吸收的机理
机译:细菌代谢物在从掺杂伊利石中迁移铯的作用:机理研究及其在植物提取中的应用
机译:金刚石耗尽型mOsFET的简单模型。 (重新公布新的可用性信息)
机译:具有通用门控和沟道区域的互补增强和耗尽型MOSFET,耗尽型MOSFET也为JFET
机译:深耗尽型沟道MOSFET,具有最小的掺杂剂波动和扩散水平
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