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崔江维; 余学峰; 刘刚; 李茂顺; 高博; 兰博; 赵云; 费武雄; 陈睿;
中国核学会;
60Coγ射线; 总剂量辐照; 退火效应; 界面态陷阱电荷; 亚阈曲线;
机译:总剂量辐照导致部分耗尽的绝缘体上硅NMOSFET的磁滞效应降低
机译:氮埋入工艺对部分耗尽SOIPMOSFET顶栅氧化物辐射硬度的影响
机译:部分耗尽的SOI晶体管对总剂量辐照的偏置依赖性
机译:III-V化合物半导体异质结构场效应晶体管和光电集成电路的增强/耗尽工艺。
机译:通过在压力下退火消除辐照的UHMWPE中的辐照UHMWPES中的自由基
机译:辐射退火筛选半导体器件中的总剂量效应
机译:脉冲辐照下耗尽退火理论
机译:集成以SOI技术形成的完全耗尽和部分耗尽的场效应晶体管
机译:自我优化电路,以减轻完全耗尽的SOI技术中的总剂量效果,温度漂移和老化现象
机译:耗尽层场效应晶体管mfr。 -使用离子注入工艺,该工艺可通过对源极和漏极区域及其接触(定义栅电极的边界)进行双重掩蔽来加速
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