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张晓晨; 岳素格; 李建成;
北京微电子技术研究所;
SOI; 辐射效应; 单粒子翻转; 总剂量效应;
机译:基于90nm SOI CMOS工艺的H-Gate超薄栅极氧化物部分耗尽的SOI pMOS和nMOS器件中浮体电位的比较
机译:使用直接隧穿机制抑制浮体部分耗尽SOI器件的磁滞效应
机译:部分耗尽SOI NMOS器件的温度相关扭结效应模型
机译:32 nm部分和45 nm完全耗尽SOI器件的总电离剂量辐射响应
机译:部分耗尽的SOI CMOS中的辐射硬化模拟电路。
机译:TCAD模拟对FD-SOI霍尔传感器辐射效应的研究
机译:水动力学模拟研究浮体效应对sOI器件噪声的影响
机译:用于BICmOs-JFET Radhard sOI技术的高能物理模拟IC的质子辐射效应研究
机译:制造完全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)和部分耗尽型绝缘体上硅(PD-SOI)器件的方法
机译:完全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)和部分耗尽型绝缘体上硅(PD-SOI)组合器件
机译:集成以SOI技术形成的完全耗尽和部分耗尽的场效应晶体管
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