Vanderbilt University, VU Station B 351825, Nashville, TN 37235-1825, USA;
机译:45nm和32nm SOI RF-CMOS器件和电路中单事件瞬态响应的研究
机译:窄长通道45nm PDSOI晶体管的总电离剂量响应
机译:在130nm部分耗尽的SOI I / O NMOSFET中,总电离剂诱导增强的热载体注射效果
机译:32nm的总电离剂量辐射响应部分和45nm全耗尽的SOI器件
机译:具有45nm CMOS SOI技术的具有32:1串行器的2位1Gsps ADC阵列
机译:使用完全耗尽的绝缘体上硅器件的基于电容的Co-60辐射剂量学
机译:流水线纳米高速缓存的能量/功率分解(90nm / 65nm / 45nm / 32nm)
机译:全剂量辐照期间全耗尽sOI晶体管响应的新见解