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机译:全剂量照射后全耗尽SOI晶体管响应的新见解
机译:电源电压缩放对完全耗尽的SOI MOS晶体管的总剂量辐射响应的影响
机译:全剂量效应对完全耗尽的SOI NMOSFET及其横向寄生晶体管的影响
机译:全剂量辐照后完全耗尽的SOI晶体管响应的新见解
机译:单次高剂量照射:细胞存活曲线建模的适用性和肿瘤生物学反应的体内评估。
机译:FinFET和带铁电电容器的全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)MOSFET的磁滞窗口研究
机译:SOI N和P型JUNC-TIONLES纳米铁晶体管动态响应的物理见解
机译:全剂量211辐照期间全耗尽sOI晶体管响应的新见解