采用LOCOS隔离的部分耗尽SOI器件的窄沟道效应

摘要

制备了不同沟宽的采用LOCOS隔离的PD SOI器件,通过实验数据分析器件的窄沟道效应.结果显示,1.2 μm SOI器件的窄沟道效应跟体硅相似,主要是由边缘电场效应和"鸟嘴"效应引起的;0.8 μm SOI器件的阈值电压随着沟道变窄而减小,出现反向窄沟道效应.我们认为,主要是由于杂质的重新分布降低了沟道边缘的杂质浓度所引起的.