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质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响

     

摘要

利用10 MeV质子对130 nm部分耗尽SOI MOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响.结果表明:质子辐照器件时,在Si-SiO2界面产生的界面陷阱电荷,增加了电子跃迁的势垒高度,减少了电荷向栅极的注入,减小了器件的RILC,增加了器件的TDDB寿命.

著录项

  • 来源
    《现代应用物理》|2017年第4期|48-51|共4页
  • 作者单位

    中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;

    新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院大学,北京100049;

    中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;

    新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;

    新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;

    新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;

    新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院大学,北京100049;

    中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;

    新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院大学,北京100049;

    中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;

    新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;

    新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 一般性问题;
  • 关键词

    辐射诱导泄漏电流; 栅氧经时击穿; 可靠性; 质子辐照; 部分耗尽SOI;

  • 入库时间 2022-08-18 08:29:47

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