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Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual

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1.A study of output power stability of GaN HEMTs on SiC substrates

机译：SiC衬底上GaN HEMT的输出功率稳定性研究
- 作者：Boutros;K.S.;Rowell;P.;Brar;B.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
2.An alpha immune and ultra low neutron SER high density SRAM

机译：α免疫和超低中子SER高密度SRAM
- 作者：Roche;P.;Jacquet;F.;Caillat;C.;Schoellkopf;J.-P.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
3.Analysis of leakage mechanisms and leakage pathways in intra-level Cu interconnects

机译：层内铜互连中的泄漏机理和泄漏路径分析
- 作者：Ngwan;V.C.;Chunxiang Zhu;Krishnamoorthy;A.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
4.Charge trapping and device performance degradation in MOCVD hafnium-based gate dielectric stack structures

机译：MOCVD f基栅介电堆栈结构中的电荷俘获和器件性能下降
- 作者：Young;C.D.;Bersuker;G.;Brown;G.A.;Lysaght;P.;Zeitzoff;P.;Murto;R.W.;Huff;H.R.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
5.Chip-level ESD simulation for fail detection and design guidance

机译：芯片级ESD仿真，用于故障检测和设计指导
- 作者：Druen;S.;Streibl;M.;Zangl;F.;Schneider;J.;Glaser;U.;Esmark;K.;Stadler;W.;Gossner;H.;Schmitt-Landsiedel;D.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
6.CMOS transistor electrical ageing experiments to build VHDL-AMS behavioral models

机译：CMOS晶体管电老化实验以建立VHDL-AMS行为模型
- 作者：Mongellaz;B.;Marc;F.;Danto;Y.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
7.Comparison of ultra-thin gate oxide ESD protection capability of silicided and silicide-blocked MOSFETS

机译：硅化和硅化阻挡MOSFET的超薄栅极氧化物ESD保护能力的比较
- 作者：Lee;J.H.;Shih;J.R.;Yu;K.F.;Wu;Y.H.;Ong;T.C.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
8.Detection of tin plating and tin whisker mitigation

机译：检测镀锡和减轻锡须
- 作者：Bjorndahl;W.D.;Singleton;L.;Griese;R.;Chong;F.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
9.Development and use of a miniaturized health monitoring device

机译：小型健康监测装置的开发和使用
- 作者：Rouet;V.;Foucher;B.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
10.Different approaches for reliability enhancement of p-channel flash memory

机译：增强P通道闪存可靠性的不同方法
- 作者：Chung;S.S.;Chen;Y.-J.;Tsai;H.-W.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
11.Drain biased TDDB lifetime model for ultra thin gate oxide

机译：超薄栅氧化物的漏极偏置TDDB寿命模型
- 作者：Chin-Yuan Ko;Tsai;Y.S.;Liao;P.J.;Wang;J.J.;Oates;A.;Wu;K.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
12.Effect of magnetic field on plasma damage during VIA etching in sub-micron CMOS technology

机译：亚微米CMOS技术在VIA蚀刻过程中磁场对等离子体损伤的影响
- 作者：Nam Sung Kim;Hyun Gu Yoon;Chee Kiat Lee;Jing Zhao;Chow Yew Tuck;Yong Sean Cheah;Wong Wing Yew;Southworth;P.;Sang Hyun Han;Pey;K.S.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
13.Effect of thermal gradients on the electromigration life-time in power electronics

机译：热梯度对电力电子中电迁移寿命的影响
- 作者：Nguyen;H.V.;Salm;C.;Krabbenborg;B.;Weide-Zaage;K.;Bisschop;J.;Mouthaan;A.J.;Kuper;F.G.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
14.Effects of low k film properties on electromigration performance

机译：低k膜性质对电迁移性能的影响
- 作者：Wei Lu;Yeow Kheng Lim;See;A.;Tae Jong Lee;Liang Choo Hsia;Hander;J.;Haiying Fu;Ling Soon Wong;Fong Pin Fen
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
15.Effects of thin SiN interface layer on transient I-V characteristics and stress induced degradation of high-k dielectrics

机译：薄SiN界面层对瞬态I-V特性和应力引起的高k电介质降解的影响
- 作者：Kang;C.Y.;Cho;H.-J.;Kang;C.S.;Choi;R.;Kim;Y.H.;Rhee;S.J.;Choi;C.H.;Akbar;S.M.;Lee;J.C.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
16.Electromigration performance enhancement of Cu interconnects with PVD Ta cap

机译：带有PVD Ta帽的Cu互连件的电迁移性能增强
- 作者：Gajewski;D.A.;Meixner;T.;Feil;B.;Lien;M.;Walls;J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
17.Electromigration reliability enhancement of flip chip interconnects using Cu-doped SnPb solder

机译：使用掺杂Cu的SnPb焊料增强倒装芯片互连的电迁移可靠性
- 作者：Wu;J.D.;Lee;C.W.;Wu;S.Y.;Li;S.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
18.Enhanced ESD protection robustness of a lateral NPN structure in the advanced CMOS

机译：先进CMOS中横向NPN结构的增强ESD保护鲁棒性
- 作者：Vassilev;V.;Groeseneken;G.;Steyaert;M.;Maes;H.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
19.Failure analysis on resistive opens with Scanning SQUID Microscopy

机译：使用扫描SQUID显微镜对电阻开路进行故障分析
- 作者：Hsiung;S.;Tan;K.V.;Komrowski;A.J.;Sullivan;D.J.D.;Gaudestad;J.;Orozco;A.;Talanova;E.;Knauss;L.A.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
20.Flash memory under cosmic alpha irradiation

机译：宇宙和阿尔法辐射下的闪存
- 作者：Fogle;A.D.;Darling;D.;Blish;R.C.;II;Dasko;G.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
21.Gate fault isolation and parametric characterization through the use of Atomic Force Probing

机译：通过使用原子力探测进行门故障隔离和参数表征
- 作者：Erickson;A.N.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
22.Gate oxide multiple soft breakdown (Multi-SBD) impact on CMOS inverter

机译：栅氧化物多次软击穿（Multi-SBD）对CMOS反相器的影响
- 作者：Huey-Ming Huang;Ko;C.Y.;Yang;M.L.;Liao;P.J.;Wang;J.J.;Oates;A.;Wu;K.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
23.Gold dendrite simulation and growth kinetics

机译：金枝晶模拟和生长动力学
- 作者：Kersey;J.L.;Jr.;Blish;R.C.;II
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
24.High current characteristics of copper interconnect under transmission-line pulse (TLP) stress and ESD zapping

机译：传输线脉冲（TLP）应力和ESD击穿下铜互连的高电流特性
- 作者：Lee;J.H.;Shih;J.R.;Yu;K.F.;Wu;Y.H.;Wu;J.Y.;Yang;J.L.;Hou;C.S.;Ong;T.C.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
25.Hydrogen-related extrinsic oxide trap generation in thin gate oxide film during negative-bias temperature instability stress

机译：负偏压温度不稳应力过程中薄栅极氧化膜中氢相关的外在氧化物陷阱的产生
- 作者：Jae-Sung Lee;Lyding;J.W.;Hess;K.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
26.Influence of charge trapping on AC reliability of high-k dielectrics

机译：电荷俘获对高k电介质AC可靠性的影响
- 作者：Kerber;M.;Duschl;R.;Reisinger;H.;Jakschik;S.;Schroder;U.;Hecht;T.;Kudelka;S.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
27.Interfacial degradation mechanism of Au-Al bonding in quad flat package

机译：四方扁平封装中金铝键合界面降解机理
- 作者：Jongwoo Park;Back-Sung Kim;Hyun-Jun Cha;Yong-Bum Jo;Sang-Chul Shin;Gun-Rae Kim;June-Kyun Park;Man-Young Shin;Kyung-Il Ouh;Hyun-Goo Jeon
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
28.Investigation of programmed charge lateral spread in a two-bit storage nitride flash memory cell by using a charge pumping technique

机译：使用电荷泵技术研究两位存储氮化物闪存存储单元中的编程电荷横向扩散
- 作者：Gu;S.H.;Wang;M.T.;Chan;C.T.;Zous;N.K.;Yeh;C.C.;Tsai;W.J.;Lu;T.C.;Tahui Wang;Ku;J.;Chih-Yuan Lu
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
29.Layout design dependence of NBTI for I/O p-MOSFET

机译：NBTI对于I / O p-MOSFET的布局设计依赖性
- 作者：Koldyaev;V.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
30.Lifetime projections and conduction mechanisms for Hafnium based high-k capacitor dielectrics using low thermal budget process

机译：使用低热预算工艺的Ha基高k电容器电介质的寿命预测和传导机理
- 作者：Lee;J.H.;Kim;J.P.;Lee;J.-H.;Kim;Y.-S.;Lim;H.-J.;Jung;H.-S.;Doh;S.J.;Lee;N.-I.;Kang;H.-K.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
31.Local redesign for reliability of CMOS digital circuits under device degradation

机译：在器件性能下降的情况下进行本地重新设计以提高CMOS数字电路的可靠性
- 作者：Xiangdong Xuan;Chatterjee;A.;Singh;A.D.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
32.Localized transient charging and it's implication on the hot carrier reliability of HfSiON MOSFETs

机译：局部瞬态充电及其对HfSiON MOSFET热载流子可靠性的影响
- 作者：Lee;B.H.;Sim;J.H.;Choi;R.;Bersuker;G.;Matthew;K.;Moumen;N.;Peterson;J.J.;Larson;L.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
33.Mechanism for reduced NBTI effect under pulsed bias stress conditions

机译：脉冲偏置应力条件下降低NBTI效应的机理
- 作者：Zhu;B.;Suehle;J.S.;Bernstein;J.B.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
34.Modeling and verification of single event transients in deep submicron technologies

机译：深亚微米技术中单事件瞬态的建模和验证
- 作者：Gadlage;M.J.;Schrimpf;R.D.;Benedetto;J.M.;Eaton;P.H.;Turflinger;T.L.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
35.Multi-level programming of NOR flash EEPROMs by CHISEL mechanism

机译：通过CHISEL机制对NOR闪存EEPROM进行多级编程
- 作者：Nair;D.R.;Mahapatra;S.;Shukuri;S.;Bude;J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
36.NBTI effects of pMOSFETs with different nitrogen dose implantation

机译：不同氮剂量注入的pMOSFET的NBTI效应
- 作者：Lee;Y.J.;Tang;Y.C.;Wu;M.H.;Chao;T.S.;Ho;P.T.;Lai;D.;Yang;W.L.;Huang;T.Y.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
37.Neutron-induced SEU in bulk and SOI SRAMS in terrestrial environment

机译：地球环境中散装的中子诱发的SEU和SOI SRAMS
- 作者：Baggio;J.;Lambert;D.;Ferlet-Cavrois;V.;Dhose;C.;Hirose;K.;Saito;H.;Palau;J.M.;Saigne;F.;Sagnes;B.;Buard;N.;Carriere;T.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
38.New findings of NBTI in partially depleted SOI transistors with ultra-thin gate dielectrics

机译：NBTI在具有超薄栅极电介质的部分耗尽SOI晶体管中的新发现
- 作者：Zhang;J.;Marathe;A.;Taylor;K.;Zhao;E.;En;B.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
39.New screen methodology for ultra thin gate oxide technology

机译：用于超薄栅极氧化物技术的新屏幕方法
- 作者：Aaron Wang;Wu;C.H.;Shiue;R.Y.;Huang;H.M.;Wu;K.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
40.PMOS thin gate oxide recovery upon negative bias temperature stress

机译：负偏置温度应力下的PMOS薄栅氧化物恢复
- 作者：Akbar;M.S.;Agostinelli;M.;Rangan;S.;Shing Lau;Castillo;C.;Sangwoo Pae;Kashyap;S.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
41.Reliability and microstructure of lead-free solder die attach interface in silicon power devices

机译：硅功率器件中无铅焊锡芯片连接界面的可靠性和微观结构
- 作者：Huff;D.;Katsis;D.;Stinson-Bagby;K.;Thacker;T.;Lu;G.-Q.;van Wyk;J.D.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
42.Reliability investigations on a unique direct-tunneling-induced high performance partially-depleted SOI PMOS device

机译：独特的直接隧道诱导的高性能部分耗尽SOI PMOS器件的可靠性研究
- 作者：Shiao-Shien Chen;Shiang Huang-Lu;Tien-Hao Tang;Wei-Tsun Shiau
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
43.Reliability model and implementation for EEPROM emulation using flash memory

机译：使用闪存的EEPROM仿真的可靠性模型和实现
- 作者：Chen He;Kuhn;P.;Jew;T.;Niset;M.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
44.Reliability of silicon nitride dielectric-based metal-insulator-metal capacitors

机译：氮化硅介电基金属-绝缘体-金属电容器的可靠性
- 作者：Remmell;T.;Ramprasad;R.;Roberts;D.;Raymond;M.;Martin;M.;Qualls;D.;Luckowski;E.;Braithwaite;S.;Miller;M.;Walls;J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
45.Sidewall damage induced by FIB milling during TEM sample preparation

机译：TEM样品制备过程中FIB铣削引起的侧壁损坏
- 作者：Qiang Gao;Zhang;M.;Chorng Niou;Ming Li;Chien;K.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
46.Soft breakdown effects on MOS switch and passive mixer

机译：软击穿对MOS开关和无源混频器的影响
- 作者：Sadat;A.;Yi Liu;Jiann Yuan;Huikai Xie
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
47.Standby current prediction model for microprocessors reliability risk assessment

机译：用于微处理器可靠性风险评估的备用电流预测模型
- 作者：Lisenker;B.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
48.Statistical modeling for post-cycling data retention of split-gate flash memories

机译：统计模型，用于分离门闪存的循环后数据保留
- 作者：Ling-Chang Hu;An-Chi Kang;I-Tai Liu;Yao-Feng Lin;Wu;K.;Ya-Chin King
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
49.Stress induced degradation of 90nm node interconnects

机译：应力导致90nm节点互连的退化
- 作者：Federspiel;X.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
50.Structure of the breakdown spot during progressive breakdown of ultra-thin gate oxides

机译：超薄栅极氧化物逐步击穿过程中击穿点的结构
- 作者：Palumbo;F.;Lombardo;S.;Pey;K.L.;Fang;L.J.;Tung;C.H.;Lin;W.H.;Radhakrishnan;M.K.;Falci;G.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
51.Technology scaling of critical charges in storage circuits based on cross-coupled inverter-pairs

机译：基于交叉耦合逆变器对的存储电路中关键电荷的技术缩放
- 作者：Heijmen;T.;Kruseman;B.;van Veen;R.;Meijer;M.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
52.Test structures and DRIE topography for bulk silicon MEMS devices

机译：大块硅MEMS器件的测试结构和DRIE形貌
- 作者：Yong Ruan;Dacheng Zhang;Xuefeng He;Yangyuan Wang
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
53.The challenge to record correct fast WLR monitoring data from productive wafers and to set reasonable limits

机译：记录来自生产晶圆的正确的快速WLR监测数据并设置合理的极限的挑战
- 作者：Martin;A.;Fazekas;J.;Pietsch;A.;Muth;W.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
54.The impact of process optimization on planar THz-Schottky device reliability

机译：工艺优化对平面太赫兹-肖特基器件可靠性的影响
- 作者：Mottet;B.;Sydlo;C.;Kogel;B.;de Robillard;Q.;Cojocari;O.;Hartnagel;H.L.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
55.The influence of surface fluctuations on early failures in single-damascene Cu wires: A Weakest Link Approximation analysis

机译：表面波动对单镶嵌铜线早期失效的影响：最弱环节近似分析
- 作者：Wang;H.;Bruynseraede;C.;Maex;K.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
56.The last trap that form the percolation path - the stress voltage effect

机译：形成渗流路径的最后一个陷阱-应力电压效应
- 作者：Cheung;K.P.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
57.Thermal degradation of DRAM retention time: Characterization and improving techniques

机译：DRAM保留时间的热降解：表征和改进技术
- 作者：Kim;Y.I.;Yang;K.H.;Lee;W.S.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
58.Thermal runaway avoidance during burn-in

机译：避免老化过程中的热失控
- 作者：Vassighi;A.;Semenov;O.;Sachdev;M.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
59.Thermomechanical behavior and reliability of Au/Si MEMS structures

机译：Au / Si MEMS结构的热力学行为和可靠性
- 作者：Miller;D.;Herrmann;C.;Spark;K.;Finch;D.;George;S.;Stoldt;C.;Gall;K.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
60.Threshold energy of neutron-induced single event upset as a critical factor

机译：中子诱发单事件不安的阈值能量是一个关键因素
- 作者：Yahagi;Y.;Ibe;E.;Takahashi;Y.;Saito;Y.;Eto;A.;Sato;M.;Kameyama;H.;Hidaka;M.;Terunuma;K.;Nunomiya;T.;Nakamura;T.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
61.Void and extrusion induced failure of submicron multilevel interconnects

机译：空隙和挤压引起的亚微米多层互连故障
- 作者：Yong-Bum Jo;Jongwoo Park;Chul-Hee Jeon;Kyung-Il Ouh;Hyun-Goo Jeon
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
62.RF HCI testing methodology and lifetime model establishment

机译：射频HCI测试方法和寿命模型建立
- 作者：Wee Loon Ng;Toledo;N.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
63.SRAM subthreshold current recovery after unipolar AC stressing

机译：单极性AC应力后SRAM亚阈值电流恢复
- 作者：Kumar;S.;Knowlton;W.B.;Kasichainula;S.;Payan;C.;Thupil;A.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
64.A PMOSFET ESD failure caused by localized charge injection

机译：由局部电荷注入引起的PMOSFET ESD故障
- 作者：Jung-Hoon Chun;Duvvury;C.;Boselli;G.;Kunz;H.;Dutton;R.W.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
65.Acceleration factors and mechanistic study of progressive breakdown in small area ultra-thin gate oxides

机译：小面积超薄栅氧化物加速破坏的机理及机理研究
- 作者：Suehle;J.S.;Zhu;B.;Che;Y.;Bernstein;J.B.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
66.Analysis of phase-transformation dynamics and estimation of amorphous-chalcogenide fraction in phase-change memories

机译：相变存储器的相变动力学分析和非晶硫族化物分数的估计
- 作者：Itri;A.;Ielmini;D.;Lacaitat;A.L.;Pirovano;A.;Pellizzer;E.;Bez;R.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
67.Broad energy distribution of NBTI-induced interface states in p-MOSFETs with ultra-thin nitrided oxide

机译：具有超薄氮化物的p-MOSFET中NBTI诱导的界面态的宽能量分布
- 作者：Stathis;J.H.;LaRosa;G.;Chou;A.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
68.Characterization and reliability of TaN thin film resistors

机译：TaN薄膜电阻器的特性和可靠性
- 作者：Lee;T.;Watson;K.;Fen Chen;Gill;J.;Harmon;D.;Sullivan;T.;Baozhen Li
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
69.Effects of overlayers on electromigration reliability improvement for Cu/low K interconnects

机译：覆盖层对改善Cu /低K互连电迁移可靠性的影响
- 作者：Hu;C.-K.;Canaperi;D.;Chen;S.T.;Gignac;L.M.;Herbst;B.;Kaldor;S.;Krishnan;M.;Liniger;E.;Rath;D.L.;Restaino;D.;Rosenberg;R.;Rubino;J.;Seo;S.-C.;Simon;A.;Smith;S.;Tseng;W.-T.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
70.Impact of the barrier/dielectric interface quality on reliability of Cu porous-low-k interconnects

机译：势垒/介电界面质量对铜多孔低k互连可靠性的影响
- 作者：Tokei;Z.;Sutcliffe;V.;Demuynck;S.;Iacopi;F.;Roussel;P.;Beyer;G.P.;Hoofman;R.J.O.M.;Maex;K.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
71.Investigation of circuit-level oxide degradation and its effect on CMOS inverter operation and MOSFET characteristics

机译：研究电路级氧化物降解及其对CMOS逆变器操作和MOSFET特性的影响
- 作者：Cheek;B.J.;Stutzke;N.;Kumar;S.;Baker;R.J.;Moll;A.J.;Knowlton;W.B.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
72.Thermal cycle reliability of stacked via structures with copper metallization and an organic low-k dielectric

机译：具有铜金属化和有机低k电介质的堆叠通孔结构的热循环可靠性
- 作者：Filippi;R.G.;McGrath;J.F.;Shaw;T.M.;Murray;C.E.;Rathore;H.S.;McLaughlin;P.S.;McGahay;V.;Nicholson;L.;Wang;P.-C.;Lloyd;J.R.;Lane;M.;Rosenberg;R.;Liu;X.;Wang;Y.-Y.;Landers;W.;Spooner;T.;Demarest;J.J.;Engel;B.H.;Gill;J.;Goth;G.;Barth;E.;Biery;G.;Davis;C.R.;Wachnik;R.A.;Goldblatt;R.;Ivers;T.;Swinton;A.;Barile;C.;Aitken;J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
73.Two concerns about NBTI issue: gate dielectric scaling and increasing gate current

机译：有关NBTI问题的两个问题：栅极电介质缩放和增加栅极电流
- 作者：Tsujikawa;S.;Akamatsu;Y.;Umeda;H.;Yugami;J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
74.A new experimental method for evaluating electric field at the junctions of DRAM cell transistors and the effect of electric field strength on the retention characteristics of DRAM

机译：一种评估DRAM单元晶体管结处电场的新实验方法以及电场强度对DRAM保持特性的影响
- 作者：Mori;Y.;Takeda;Y.;Kimura;S.;Ohyu;K.;Uchiyama;H.;Yamada;R.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
75.Enhanced hot-electron performance of strained Si NMOS over unstrained Si

机译：应变硅NMOS的热电子性能优于未应变硅
- 作者：Kelly;D.Q.;Onsongo;D.;Dey;S.;Wise;R.;Cleavelin;R.;Banerjee;S.K.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
76.Impact of stress induced leakage current on power-consumption in ultra-thin gate oxides

机译：应力引起的泄漏电流对超薄栅氧化物功耗的影响
- 作者：Lai;W.;Sune;J.;Wu;E.;Nowak;E.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
77.The influence of deep trench and substrate resistance on the latchup robustness in a BiCMOS silicon germanium technology

机译：BiCMOS硅锗技术中深沟槽和衬底电阻对闩锁鲁棒性的影响
- 作者：Voldman;S.H.;Watson;A.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
78.Positive photon discrimination for ultra low voltage IC analysis

机译：正光子识别技术可用于超低压IC分析
- 作者：Desplats;R.;Remmach;M.;Faggion;G.;Beaudoin;F.;Perdu;P.;Leibowitz;M.;Sanchez;K.;Guilaume;S.;Lundquist;T.;Lewis;D.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
79.Reliability properties of low voltage PZT ferroelectric capacitors and arrays

机译：低压PZT铁电电容器和阵列的可靠性
- 作者：Rodriguez;J.;Remack;K.;Boku;K.;Udayakumar;K.R.;Aggarwal;S.;Summerfelt;S.;Moise;T.;McAdams;H.;McPherson;J.;Bailey;R.;Depner;M.;Fox;G.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
80.The influence of heavily doped buried layer implants on electrostatic discharge (ESD), latchup, and a silicon germanium heterojunction bipolar transistor in a BiCMOS SiGe technology

机译：BiCMOS SiGe技术中重掺杂掩埋层注入对静电放电（ESD），闩锁和硅锗异质结双极晶体管的影响
- 作者：Voldman;S.;Lanzerotti;L.;Morris;W.;Rubin;L.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
81.A comprehensive framework for predictive modeling of negative bias temperature instability

机译：负偏置温度不稳定性预测模型的综合框架
- 作者：Chakravarthi;S.;Krishnan;A.;Reddy;V.;Machala;C.F.;Krishnan;S.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
82.Effect of vacuum on high-temperature degradation of gold/aluminum wire bonds in PEMs

机译：真空对PEM中金/铝丝键合高温降解的影响
- 作者：Teverovsky;A.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
83.Off-state mode TDDB reliability for ultra-thin gate oxides: New methodology and the impact of oxide thickness scaling

机译：超薄栅极氧化物的断态模式TDDB可靠性：新方法和氧化物厚度缩放的影响
- 作者：Wu;E.;Nowak;E.;Wing Lai
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
84.Convergence and interaction of BEOL and BE reliability methodology

机译：BEOL和BE可靠性方法论的融合与互动
- 作者：Rzepka;S.;Lepper;M.;Bottcher;M.;Bauer;R.;Weber;S.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
85.Inside front cover Blank

机译：内封面空白
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
86.2004 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 42nd Annual - Title

机译：2004年IEEE国际可靠性物理研讨会论文集第42届年度-标题
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
87.Copyright

机译：版权
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
88.Preface

机译：前言
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
89.2005 International Reliability Physics Symposium April 17-21,2005

机译：2005 International Reliability Physics Symposium 2005年4月17日至21日
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
90.Session/Poster paper # to page # cross-reference

机译：会议/海报纸＃到页面＃交叉引用
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
91.Best Paper Award - A new reliability model for post-cycling charge retention of flash memories

机译：最佳论文奖-闪存循环后电荷保持的新可靠性模型
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
92.Outstanding Paper Award - Impact of negative bias temperature instability on digital circuit reliability

机译：杰出论文奖-负偏置温度不稳定性对数字电路可靠性的影响
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
93.2005 IEEE International Reliability Physics Symposium - Call for papers and Call for posters

机译：2005 IEEE国际可靠性物理研讨会-征集论文和招募海报
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
94.Reliability evaluation and comparison of Class-E and Class-A power amplifiers with 0.18 μm CMOS technology

机译：采用0.18μmCMOS技术的E类和A类功率放大器的可靠性评估和比较
- 作者：Wei-Cheng Lin;Long-Jei Du;Ya-Chin King
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
95.Direct determination of interface and bulk traps in stacked HfO₂ dielectrics using charge pumping method

机译：电荷泵浦法直接测定堆叠HfO _{2 电介质中的界面陷阱和体陷阱}
- 作者：Hou T.H.;Wang M.F.;Mai K.L.;Lin Y.M.;Yang M.H.;Yao L.G.;Jin Y.;Chen S.C.;Liang M.S.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
96.Polarity dependence of charge trapping in poly-silicon gate HfO₂ MOSFETs

机译：多晶硅栅HfO _{2 MOSFET中电荷俘获的极性依赖性}
- 作者：Bu M.;Wang X.W.;Guo D.C.;Song L.Y.;Ma T.P.;Tseng H.;Tobin P.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
97.Effects of gate electrodes and barrier heights on the breakdown characteristics and Weibull slopes of HfO₂ MOS devices

机译：栅电极和势垒高度对HfO _{2 MOS器件的击穿特性和威布尔斜率的影响}
- 作者：Kim Y.H.;Choi R.;Jha R.;Lee J.H.;Misra V.;Lee J.C.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
98.Frequency dependent dynamic charge trapping in HfO₂ and threshold voltage instability in MOSFETs

机译：HfO _{2 中与频率有关的动态电荷陷阱和MOSFET中的阈值电压不稳定性}
- 作者：Shen C.;Yu H.Y.;Wang X.P.;Li M.-F.;Yeo Y.-C.;Chan D.S.H.;Bera K.L.;Kwong D.L.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
99.Back covers Blanks

机译：封底空白
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年
100.Dynamic positive bias temperature instability characteristics of ultra-thin HfO₂ NMOSFET

机译：超薄HfO _{2 NMOSFET的动态正偏置温度不稳定性}
- 作者：Se Jong Rhee;Young Hee Kim;Chang Yong Kang;Chang Seok Kang;Hag-Ju Cho;Rino Choi;Chang Hwan Choi;Akbar M.S.;Lee J.C.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2004. 42nd Annual》 | 2004年