semiconductor device reliability; integrated circuit reliability; semiconductor device breakdown; semiconductor device testing; integrated circuit testing; dielectric thin films; screen methodology; ultra thin gate oxide technology; Less Noise Margin dice; reliability weakness; high temperature chip probing test; functional test; assess reliability risk;
机译:对超薄栅氧化物基于硬击穿的可靠性方法学的严格评估
机译:超薄氧化物部分耗尽SOI浮体CMOS的栅-体泄漏和电容的改进的表征方法
机译:研究衬底取向对超薄埋入氧化物(UTBOX)FDSOI High-K Metal Gate技术性能的影响
机译:用于超薄栅极氧化物技术的新屏幕方法
机译:超薄氧化物CMOS技术中的模拟集成电路设计,具有显着的直接隧穿感应栅极电流。
机译:适当的技术在紫外线超氧化物和单次氧气的战斗中伴随着防晒霜
机译:超薄栅极氧化物的氧化物击穿电压和温度加速度的相互作用