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机译:超薄氧化物部分耗尽SOI浮体CMOS的栅-体泄漏和电容的改进的表征方法
机译:基于90nm SOI CMOS工艺的H-Gate超薄栅极氧化物部分耗尽的SOI pMOS和nMOS器件中浮体电位的比较
机译:栅极隧穿浮体充电对0.10μm-CMOS部分耗尽SOI MOSFET的漏极电流瞬变的影响
机译:部分耗尽的SOI CMOS电路中的浮体效应
机译:超薄氧化物部分耗尽(PD)SOI浮体CMOS的栅-体泄漏和电容的高效表征方法
机译:纳米栅极长度部分耗尽硅-NON-insulator CMOS器件和电路中浮体效应的分析,建模和控制
机译:三种电容探针在热带土壤中测量水分的改进校准功能
机译:适用于低功耗RF应用的部分耗尽型CMOS SOI技术