公开/公告号CN102891112B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-09-28
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN201210413925.X
发明设计人 张雄;
申请日2012-10-25
分类号
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人郑玮
地址 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2022-08-23 09:47:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-09-28
授权
授权
2014-11-05
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20121025
实质审查的生效
2014-05-28
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/8238 变更前: 变更后: 登记生效日:20140430 申请日:20121025
专利申请权、专利权的转移
2013-01-23
公开
公开
机译: 在双栅CMOS制造工艺中改善多晶硅耗尽的方法
机译: 在双栅CMOS制造工艺中减少多晶硅层厚度变化引起的多晶硅耗尽的方法
机译: 在双栅CMOS制造工艺中减少多晶硅耗尽的方法