TiN栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件(英文)

摘要

制备并研究了TiN栅薄膜全耗尽SOICMOS器件 ,并对其关键工艺进行了详细阐述 .相对于双多晶硅栅器件 ,在不改变阈值电压的前提下 ,可以减小nMOS和pMOS的沟道掺杂浓度 ,进而提高迁移率 .由于TiN的功函数处于中间禁带 ,在几乎相同的调整阈值注入剂量下 ,可以得到对称的阈值电压 .当顶层硅膜厚度减小时 。