首页> 外文OA文献 >1Fully Depleted CMOS/SOI Device Design Guidelines for Low Power Applications

【2h】

1Fully Depleted CMOS/SOI Device Design Guidelines for Low Power Applications

机译：1适用于低功耗应用的完全耗尽的CmOs / sOI器件设计指南

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Srinivasa R. Banna; Philip C. H. Chan; Mansun Chan; Samuel K. H. Fung; Ping K. Ko;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2015
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Fully depleted CMOS/SOI device design guidelines for low-power applications [J] . Banna S.R., Chan P.C.H. IEEE Transactions on Electron Devices . 1999,第4期

机译：针对低功耗应用的完全耗尽的CMOS / SOI器件设计指南
2. Scaling capability and design guidelines of a nano-scale quasi-SOI device for low operation power and high-performance applications [J] . Yu Tian, Ru Huang, Xing Zhang, Semiconductor science and technology . 2006,第4期

机译：用于低工作功率和高性能应用的纳米级准SOI器件的扩展能力和设计指南
3. Hardness-by-design approach for 0.15 /spl mu/m fully depleted CMOS/SOI digital logic devices with enhanced SEU/SET immunity [J] . Makihara A., Midorikawa M., Yamaguchi T., IEEE Transactions on Nuclear Science . 2005,第6期

机译：设计硬度方法适用于0.15 / spl mu / m的全耗尽CMOS / SOI数字逻辑器件，具有增强的SEU / SET抗扰性
4. Fully depleted CMOS/SOI device design guidelines for low power applications [C] . Srinivasa R.Banna, Philip C.H.Chan, Mansun Chan, International symposium on low power electronics and design . 1997

机译：针对低功耗应用的完全耗尽的CMOS / SOI器件设计指南
5. Investigation of tungsten gate fully depleted SOI CMOS devices and circuits for ultralow voltage applications. [D] . Shang, Huiling. 2001

机译：用于超低压应用的钨栅完全耗尽SOI CMOS器件和电路的研究。
6. Design of a Sub-Picosecond Jitter with Adjustable-Range CMOS Delay-Locked Loop for High-Speed and Low-Power Applications [O] . Bilal I. Abdulrazzaq, Omar J. Ibrahim, Shoji Kawahito, 2016

机译：具有可调范围CMOS延迟锁定环路的亚皮秒抖动设计适用于高速和低功耗应用
7. Fully depleted CMOS/SOI device design guidelines for low-power applications [O] . Banna SR, Chan PCH, Chan Man Sun, 1999

机译：针对低功耗应用的完全耗尽的CMOS / SOI器件设计指南
8. Noise performance of 0.35-(mu)m SOI CMOS devices and micropower preamplifier following 63-MeV, 1-Mrad (Si) proton irradiation [R] . Binkley, D. M., Hopper, C. E., Cressler, J. D., 2004

机译：63-meV，1-mrad（si）质子辐照后0.35-（μm）sOI CmOs器件和微功率前置放大器的噪声性能

1Fully Depleted CMOS/SOI Device Design Guidelines for Low Power Applications

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅