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Hot-carrier reliability of transistors fabricated by a 0.25-mu m fully depleted SOI CMOS process

机译：采用0.25微米全耗尽sOI CmOs工艺制造的晶体管的热载流子可靠性

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In the present work, the hot-carrier degradation of transistors fabricated by a 0.25- mu m FD SOI CMOS process was investigated.

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作者
Lieneweg, U.; Vandooren, A.;
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作者单位

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年度 2000
页码 1-4
总页数 4
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工业技术;
关键词
CMOS; DEGRADATION; DEPLETION; FABRICATION; RELIABILITY; TRANSISTORS; SOI reliability hot carrier;

机译：CmOs;降解;消耗;制造;可靠性;晶体管， sOI可靠性热载体;

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