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THE DEGRADATION INDUCED BY HOT-CARRIER INJECTION IN 130-NM PARTIALLY DEPLETED SOI PMOSFETS FABRICATED ON MODIFIED WAFER

机译：在改进的晶片上制造的130nm部分耗尽的SOI PMOSFET中由热载体注射诱导的降解

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作者
Huilong Zhu; Dawei Bi; Zhiyuan Hu; Xin Xie; Zhengxuan Zhang; Shichang Zou;
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年度 2019
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1. Anomalous Electrical Properties Induced by Hot-Electron-Injection in 130-nm Partially Depleted SOI NMOSFETs Fabricated on Modified Wafer [J] . Lihua Dai, Dawei Bi, Bingxu Ning, IEEE Transactions on Nuclear Science . 2016,第5期

机译：在改性晶片上制造的130nm部分耗尽SOI NMOSFET中，热电子注入引起的异常电性能
2. The analysis of the anomalous hot-carrier effect in partially depleted SOI pMOSFETs fabricated on modified wafer [J] . Zhu Huilong, Bi Dawei, Xie Xin, Microelectronics & Reliability . 2019,第Deca期

机译：在改性晶片上制造的部分耗尽SOI pMOSFET的异常热载流子效应分析
3. A thorough investigation of the degradation induced by hot-carrier injection in deep submicron N- and P-channel partially and fully depleted unibond and SIMOX MOSFETs [J] . Shing-Hwa Renn, Raynaud C. IEEE Transactions on Electron Devices . 1998,第10期

机译：深入研究深亚微米N和P沟道部分和完全耗尽的单键和SIMOX MOSFET中热载流子注入引起的退化
4. Charge pumping study of hot-carrier induced degradation of sub-100nm partially depleted SOI MOSFETs [C] . Chan, J., Zhao, . 2002

机译：热载流子引起的100nm以下部分耗尽SOI MOSFET退化的电荷泵研究
5. Radiation-hardened analog circuits in partially-depleted SOI CMOS. [D] . Perez, Alfredo. 2005

机译：部分耗尽的SOI CMOS中的辐射硬化模拟电路。
6. Synthesis Physical Properties and Enzymatic Degradation of Biodegradable Nanocomposites Fabricated Using Poly(Butylene Carbonate-Co-Terephthalate) and Organically Modified Layered Zinc Phenylphosphonate [O] . Li-Ying Tseng, Erh-Chiang Chen, Jie-Mao Wang, 2020

机译：使用聚（碳酸丁酯 - 对苯二甲酸丁二醇酯）制备的生物降解纳米复合材料的合成物理性质和酶促降解有机改性层状锌膦酸盐
7. Hot-carrier induced degradation in surface pMOSFETs. [O] . Marinette Besson -1

机译：热载体诱导表面PMOSFET中的降解。
8. Hot-carrier reliability of transistors fabricated by a 0.25-mu m fully depleted SOI CMOS process [R] . Lieneweg, U., Vandooren, A. 2000

机译：采用0.25微米全耗尽sOI CmOs工艺制造的晶体管的热载流子可靠性

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