全耗尽SOI CMOS技术中注Ge硅化物工艺的研究

摘要

本文对全耗尽SOI CMOS技术中的注Ge硅化物工艺进行了研究.Ge的注入,使Si非晶化,减小了硅化物的形成能量.Ti硅化物在非晶层上形成.与传统的Ti硅化物相比,注Ge硅化物工艺有两个明显的特点:一是硅化物形成温度较低;二是硅化物厚度容易控制.采用注Ge硅化物工艺,使源漏方块电阻约为5.2Ω/□.经过工艺流片,获得了性能良好的器件和电路,其中,当工作电压为5V时,0.8μm 101级环振电路延迟为45ps.