机译:通过批量兼容工艺制造的具有26nm硅层的0.11μm全耗尽SOI CMOS器件
SOI; Fully depleted; Low power; Propagation delay;
机译:通过批量兼容工艺制造的具有26nm硅层的0.11μm全耗尽SOI CMOS器件
机译:0.11μm全耗尽的SOI CMOS器件,具有由批量兼容过程制造的26nm硅层
机译:使用CMOS兼容工艺在块状衬底上制造高性能硅纳米线全能nMOSFET
机译:o.11μm全耗尽的SOI CMOS器件,具有由散装兼容过程制造的26nm硅层
机译:用于光子器件的CMOS兼容硅纳米线的生长和光学特性。
机译:在硅光子平台上通过光刻技术制造的CMOS兼容高Q光子晶体纳米腔
机译:光子晶体慢灯装置由CMOS兼容过程制成
机译:用sOI(绝缘体上硅)薄膜制造的抗辐射JFET器件和CmOs电路