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功率BiCMOS; N-LDMOS晶体管阵列; 热载流子; 可靠性; 失效模式;
机译:优化N-LDMOS晶体管阵列的热载流子可靠性
机译:定制厚氧化物的功率LDMOS晶体管中热载流子退化的研究
机译:热载流子对功率RF LDMOS器件可靠性的影响研究
机译:用于功率BiCMOS应用的N-LDMOS晶体管阵列的热载流子可靠性
机译:LDMOS晶体管上的热载流子效应。
机译:h-BN包裹的石墨烯的瞬态响应晶体管:自热和热载流子陷阱的特征
机译:采用0.13μmsiGe:C-BiCmOs技术集成LDmOs晶体管,用于高频应用
机译:采用0.25微米全耗尽sOI CmOs工艺制造的晶体管的热载流子可靠性
机译:监视工艺失准的方法,以减少不对称的器件操作并改善LDMOS晶体管阵列的电载流子和热载流子性能
机译:利用漏极环过驱动偏压来提高LDMOS晶体管的热载流子可靠性的方法和装置
机译:用于提高热载流子可靠性的LDMOS晶体管结构
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