机译:带阶梯栅氧的N-LDMOS晶体管热载流子退化分析
东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 南京 210096;
机译:具有陡峭逆行漂移掺杂轮廓的SOI LDMOS晶体管中的热载流子退化分析
机译:具有厚栅氧化物的p型对称LDMOS晶体管的热载流子降解机理
机译:n沟道LDMOS晶体管在热载流子退化中参数漂移的电压依赖性
机译:设计注意事项对基于STI的LDMOS晶体管的热载流子注入性能的影响
机译:LDMOS晶体管上的热载流子效应。
机译:高性能顶栅石墨烯纳米带晶体管使用氧化锆纳米线为高k栅介质
机译:双极晶体管中热载流子应力与电离诱导退化的相关性