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刘斯扬; 钱钦松; 孙伟锋;
东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心;
热载流子; 退化; 阶梯栅氧; N型横向双扩散金属氧化物半导体管;
机译:具有陡峭逆行漂移掺杂轮廓的SOI LDMOS晶体管中的热载流子退化分析
机译:具有厚栅氧化物的p型对称LDMOS晶体管的热载流子降解机理
机译:n沟道LDMOS晶体管在热载流子退化中参数漂移的电压依赖性
机译:设计注意事项对基于STI的LDMOS晶体管的热载流子注入性能的影响
机译:LDMOS晶体管上的热载流子效应。
机译:高性能顶栅石墨烯纳米带晶体管使用氧化锆纳米线为高k栅介质
机译:通过栅漏电容测量评估亚微米n(金属氧化物半导体场效应晶体管)中热孔诱导的界面态和俘获的载流子
机译:双极晶体管中热载流子应力与电离诱导退化的相关性
机译:估计MOS晶体管的热载流子寿命的方法以及热载流子退化的仿真
机译:监视工艺失准的方法,以减少不对称的器件操作并改善LDMOS晶体管阵列的电载流子和热载流子性能
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