Transistors ; Ionizing Radiations ; Physical Radiation Effects ; Radiation Doses ; Semiconductor Junctions ; Stresses;
机译:热载流子引起的SiGe异质结双极晶体管RF功率特性下降
机译:热载流子引起的低复杂度0.13μmCMOS双极晶体管退化的直流电和低频噪声分析
机译:氧气对电性能的影响和热载体应力引起的GaN高电子迁移率晶体管的降解
机译:热载流子引起的SiGe异质结双极晶体管RF功率特性的下降
机译:现代双极晶体管的总剂量增益下降。
机译:相关时间-0和热载波应力诱导FinFET参数变量:建模方法
机译:由于电离辐射和热载流子应力,对双极结型晶体管的增益衰减进行建模。
机译:双极晶体管中热载流子应力与电离诱导退化的相关性