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卢丽;
东南大学;
机译:浅沟槽隔离和衰减器对双栅LDMOS器件性能的影响
机译:具有浅沟槽隔离(STI)的功率SOI LDNMOS中热载流子生成的行为
机译:具有浅沟槽隔离结构的P-LDMOS晶体管中初始热载流子注入的研究
机译:浅沟槽隔离CMOS器件的一种新的基于物理和定量的宽度相关的热载流子模型
机译:研究氧化物击穿,热载流子和NBTI对MOS器件和电路可靠性的影响。
机译:浅埋槽结合表面处理提高连拍厚LYsO探测器pET的空间分辨率性能
机译:一种新的物理和定量宽度相关的浅沟槽隔离CmOs器件热载流子模型
机译:LDRD最终报告 - 研究沉积磁性薄膜在磁记忆技术上的工艺整合对辐射强化CmOs器件和电路的影响 - LDRD项目(FY99)
机译:具有浅沟槽隔离(STI)和不同锥形部分的MOS器件
机译:具有不同锥度部分的浅沟槽隔离(STI)的MOS器件
机译:应变硅沟道CMOS器件的牺牲浅沟槽隔离氧化物衬垫
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