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机译:定制厚氧化物的功率LDMOS晶体管中热载流子退化的研究
Univ Bologna, ARCES DEI, Cesena, Italy;
Univ Bologna, ARCES DEI, Cesena, Italy;
Univ Padua, DTG, Vicenza, Italy;
STMicroelectronics, Technol R&D, Agrate Brianza, Italy;
STMicroelectronics, Technol R&D, Agrate Brianza, Italy;
STMicroelectronics, Technol R&D, Agrate Brianza, Italy;
Univ Bologna, ARCES DEI, Cesena, Italy;
Univ Bologna, ARCES DEI, Cesena, Italy;
Hot-carrier degradation; Interface trap; ON-state stress; LDMOS transistor; Modelling; Reliability;
机译:具有厚栅氧化物的p型对称LDMOS晶体管的热载流子降解机理
机译:不同应力条件下700 V n-LDMOS晶体管热载流子降解的研究
机译:分流门N沟道STI-LDMOS晶体管热载波应力下降的TCAD模拟
机译:具有厚栅极氧化物的亚微米40V LDMOS晶体管的热载流子可靠性
机译:LDMOS晶体管上的热载流子效应。
机译:具有厚铜金属化特性的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管用于Ka波段应用的功率密度为8.2 W / mm
机译:焦耳热和热载流子效应相结合降解的非晶氧化物薄膜晶体管的热分析
机译:双极晶体管中热载流子应力与电离诱导退化的相关性