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颜志英; 王雄伟; 丁峥;
浙江工业大学,信息工程学院,浙江,杭州,310032;
双多晶硅栅; LDD结构; SOICMOS器件;
机译:使用累积模式全耗尽SOI MOSFET的高性能,高可靠性新型CMOS器件
机译:设计硬度方法适用于0.15 / spl mu / m的全耗尽CMOS / SOI数字逻辑器件,具有增强的SEU / SET抗扰性
机译:通过批量兼容工艺制造的具有26nm硅层的0.11μm全耗尽SOI CMOS器件
机译:具有提高的G / S / D器件架构的超薄膜全耗尽SOI CMOS,适用于100 nm以下的应用
机译:用于超低压应用的钨栅完全耗尽SOI CMOS器件和电路的研究。
机译:使用沟道层的单步沉积的薄膜互补金属氧化物半导体(CMOS)器件
机译:1适用于低功耗应用的完全耗尽的CmOs / sOI器件设计指南
机译:采用0.25微米全耗尽sOI CmOs工艺制造的晶体管的热载流子可靠性
机译:单独使用或用于SOI BiCMOS的全耗尽集电极绝缘体上硅(SOI)双极晶体管
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