法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-12-02
授权
授权
2015-11-25
著录事项变更 IPC(主分类):H01L27/12 变更前: 变更后: 申请日:20120716
著录事项变更
2013-06-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/12 申请日:20120716
实质审查的生效
2012-10-17
公开
公开
机译: 全耗尽型SOI型半导体器件和集成电路
机译: 差分SG / EG隔离器集成,具有等效的NFET / PFET隔离器宽度,以及表盘凸起的源漏外延硅和三氮化物隔离器集成,可在FDSOI上实现高压EG器件
机译: 具有等效NFET / PFET隔离宽度的差分SG / EG隔离集成,以及双凸起的源极漏极外延硅和三氮化物隔离集成,可在FDSOI上实现高压EG器件