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SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium
SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium
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1.
Ⅲ-Ⅴ Photovoltaics-Recent Developments and Prospects
机译:
Ⅲ-ⅴ光伏 - 最近的发展与前景
作者:
N. E. Sosa
;
T. G. van Kessel
;
Y. Martin
;
H. J. Hovel
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
2.
Beyond CMOS Devices As Enablers of Future Energy Efficient Integrated Circuits and Systems
机译:
超越CMOS设备作为未来节能集成电路和系统的推动者
作者:
Adrian M. Ionescu
;
Giovanni Salvatore
;
Livio Lattanzio
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
3.
Band-Engineered Ge-on-Si Lasers for Integrated Photonics
机译:
用于集成光子的带工程GE-ON-SI激光器
作者:
Jifeng Liu
;
Xiaochen Sun
;
Rodolfo Camacho-Aguilera
;
Lionel C. Kimerling
;
Jurgen Michel
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
4.
Optoelectronic monolithic integration of waveguided Metal-Germanium-Metal Photodetector and Ge CMOSFETs on SOI wafer
机译:
SOI晶圆上的波导金属锗金属光电探测器和GE CMOSFET的光电单片集成
作者:
H. Zang
;
J. Wang
;
G. Q. Lo
;
S. J. Lee
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
5.
Influence of the Selectively Implanted Collector Integration on +400 GHz f_(MAX) Si/SiGe:C HBTs
机译:
选择性植入收集器集成对+400GHz F_(MAX)Si / SiGe的影响:C HBTS
作者:
T. Lacave
;
P. Chevalier
;
Y. Campidelli
;
L. Depoyan
;
L. Berthier
;
F. Andre
;
M. Buczko
;
G. Avenier
;
C. Gaquiere
;
A. Chantre
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
6.
Are Si/SiGe Tunneling Field-Effect Transistors a Good Idea?
机译:
Si / SiGe隧道场效应晶体管是个好主意吗?
作者:
S. J. Koester
;
I. Lauer
;
A. Majumdar
;
J. Cai
;
J. Sleight
;
S. Bedell
;
P. Solomon
;
S. Laux
;
L. Chang
;
S. Koswatta
;
W. Haensch
;
P. Tomasini
;
S. Thomas
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
7.
Defect-Induced Surface Morphological Evolution in Epitaxial Germanium Growth on Silicon
机译:
硅膜外延锗生长的缺陷诱导的表面形态演变
作者:
Yi-Chiau Huang
;
Xianzhi Tao
;
Miao Jin
;
Charles C. Wang
;
Errol Sanchez
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
8.
2.4/5.7-GHz Dual-Band Dual-Conversion Low-IF Downconverter Using 035 urn SiGe HBT Technology
机译:
2.4 / 5.7-GHz双频双转换低 - 使用035 URN SiGE HBT技术的下变频器
作者:
J.-S. Syu
;
C. C. Meng
;
S.-W. Yu
;
G.-W. Huang
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
9.
Laser-induced Epitaxial Growth (LEG) Technology for Multi-stacked MOSFETs
机译:
用于多堆叠MOSFET的激光诱导的外延生长(腿部)技术
作者:
Yong-Hoon Son
;
Kihyun Hwang
;
Chang-Jin Kang
;
Euijoon Yoon
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
10.
Improving the performance of SiGe-based IR detectors
机译:
提高基于SiGe的IR探测器的性能
作者:
M. Kolahdouz
;
A. Afshar Farniya
;
M. ?stling
;
H. H. Radamson
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
11.
Formation of Pseudo-Expitaxial Ge Films on Si(100) by Droplet of Ge Microliquid
机译:
通过葛米粒子液滴形成伪海外GE薄膜
作者:
T. Matsumoto
;
S. Higashi
;
K. Makihara
;
M. Akazawa
;
S. Miyazaki
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
12.
X-Ray Microdiffraction Study on Crystallinity of Micron-Sized Ge Films Selectively Grown on Si(001) Substrates
机译:
在Si(001)基板上选择性地生长微米尺寸GE膜的结晶性的X射线微折磨研究
作者:
K. Ebihara
;
S. Harada
;
J. Kikkawa
;
Y. Nakamura
;
A. Sakai
;
G. Wang
;
M. Caymax
;
Y. Imai
;
S. Kimura
;
O. Sakata
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
13.
Germanium on Nothing for Nanowire Devices
机译:
纳米线装置的锗无关
作者:
P. M. Thomas
;
D. J. Pawlik
;
E. Freeman
;
B. Romanczyk
;
S. L. Rommel
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
14.
Ge/Si Core/Multi-shell Heterostructure FETs
机译:
GE / SI核/多壳异质结构FET
作者:
S. A. Dayeh
;
S. T. Picraux
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
15.
Effects of Growth and Surface Cleaning Conditions on Strain Relaxation on SiGe Films beyond a Critical Thickness on Si(001) Substrate
机译:
生长和表面清洗条件对SiE(001)衬底临界厚度超出临界厚度的应变弛豫的影响
作者:
Jeongwon Park
;
Masato Ishii
;
Ramachandran Balasubramanian
;
Yihwan Kim
;
Satheesh Kuppurao
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
16.
Ge/Ⅲ-Ⅴ Heterostructures and Their Applications in Fabricating Engineered Substrates
机译:
Ge /Ⅲ-ⅴ异质结构及其在制造工程基材中的应用
作者:
Y. Bai
;
E. A. Fitzgerald
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
17.
Novel SiGe Source/Drain for Reduced Parasitic Resistance in Ge NMOS
机译:
用于降低GE NMOS的寄生抗性的新型SiGe源/排水管
作者:
Shyam Raghunathan
;
Tejas Krishnamohan
;
Krishna Saraswat
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
18.
Formation of High Aspect-ratio Ge-fin Structures with {110} Facets by Anisotropic Wet Etching
机译:
通过各向异性湿法蚀刻形成具有{110}小面的高纵横比Ge-Fin结构
作者:
Y. Moriyama
;
K. Ikeda
;
Y. Kamimuta
;
T. Tezuka
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
19.
High Quality Epitaxial Growth of GaAsyP1-y Alloys on Si1-xGex Virtual Substrates
机译:
Si1-XGEx虚拟基板上的GaAsyp1-Y合金的高质量外延生长
作者:
P. Sharma
;
M. T. Bulsara
;
E. A. Fitzgerald
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
20.
Axial Ge/Si Nanowire Heterostructure Tunnel FETs
机译:
轴向GE / SI纳米线异质结构隧道FET
作者:
S. A. Dayeh
;
S. T. Picraux
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
21.
Low-Temperature Epitaxial Growth of Si, SiGe, Ge, and SiC in a 300mm UHV/CVD Reactor
机译:
300mm UHV / CVD反应器中的Si,SiGe,Ge和SiC的低温外延生长
作者:
T. N. Adam
;
S. Bedel
;
A. Reznicek
;
D. K. Sadana
;
R. J. Murphy
;
A. Venkateshan
;
T.Tsunoda
;
T. Seino
;
J. Nakatsuru
;
S.R. Shinde
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
22.
Diffusion and Interface Segregation of Phosphorus and Boron in Bulk Germanium, Germanium Nanomembranes, and Nanowires
机译:
散装锗,锗纳米爆发和纳米线中磷和硼的扩散和界面分离
作者:
Tong Liu
;
Coumba Ndoye
;
Marius Orlowski
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
23.
Formation of Al_2O_3 Film on Si Substrate by Microwave Generated Remote Plasma Assisted Atomic Layer Deposition Technique
机译:
通过微波产生远程等离子体辅助原子层沉积技术在Si衬底上形成Al_2O_3膜
作者:
H. Ishizaki
;
M. Iida
;
Y. Otani
;
Y. Fukuda
;
T. Sato
;
T. Takamatsu
;
T. Ono
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
24.
Selective epitaxial growth of Ⅲ-Ⅴ semiconductor heterostructures on Si substrates for logic applications
机译:
Ⅲ-Ⅳ半导体异质结构的选择性外延生长逻辑应用中的Si基板
作者:
N. D. Nguyen
;
G. Wang
;
G. Brammertz
;
M. Leys
;
N. Waldron
;
G. Winderickx
;
K. Lismont
;
J. Dekoster
;
R. Loo
;
M. Meuris
;
S. Degroote
;
F. Buttita
;
B. ONeil
;
O. Féronc
;
J. Lindner
;
F. Schulte
;
B. Schineller
;
M. Heuken
;
M. Caymax
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
25.
Interface Reaction and Rate Enhancement of SiGe Thermal Oxidation
机译:
SiGe热氧化的界面反应和速率增强
作者:
T. Shimura
;
Y. Okamoto
;
D. Shimokawa
;
T. Inoue
;
T. Hosoi
;
H. Watanabe
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
26.
Self-Align Formation of Si Quantum Dots
机译:
Si量子点的自我调整形成
作者:
K. Makihara
;
M. Ikeda
;
H. Deki
;
A. Ohta
;
S. Miyazaki
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
27.
Performance and reliability of a 25Gb/s Ge waveguide photo-detector integrated in a CMOS process
机译:
25GB / S GE波导照片探测器的性能和可靠性集成在CMOS过程中
作者:
Subal Sahni
;
Dan Song
;
Michael Sharp
;
Daniel Kucharski
;
Drew Guckenberger
;
Gianlorenzo Masini
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
28.
Assessment of Ge1-xSnx Alloys for Strained Ge CMOS Devices
机译:
评估应变GE CMOS器件的GE1-XSNX合金
作者:
S. Takeuchi
;
Y. Shimura
;
T. Nishimura
;
B. Vincent
;
G. Eneman
;
T. Clarysse
;
J. Demeulemeester
;
K. Temst
;
A. Vantomme
;
J. Dekoster
;
M. Caymax
;
R. Loo
;
O. Nakatsuka
;
A. Sakai
;
S. Zaima
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
29.
Functionalized Back-End Devices for (Bi)CMOS circuits
机译:
(BI)CMOS电路的功能化后端设备
作者:
Ch. Wenger
;
Ch. Walczyk
;
D. Walczyk
;
M. Lukosius
;
M. Fraschke
;
D. Wolansky
;
P. V. Santos
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
30.
Chemical Trend of Schottky-Barrier Change by Segregation Layers at Metal/Si Interfaces: First-Principles Study
机译:
金属/ SI接口分离层的肖特基屏障的化学趋势:第一原理研究
作者:
T. Nakayama
;
Y. Maruta
;
Y. Kobinata
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
31.
Characterization of Interface States of HfO_2/Ge with Fluorine Treatment by using DLTS/ICTS
机译:
用DLT / ICT对HFO_2 / GE界面状态的表征用氟处理
作者:
T. Kanashima
;
Y. Yoshioka
;
D. H. Lee
;
M. Okuyama
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
32.
Epitaxial Growth on High Aspect Ratio Structures
机译:
高纵横比结构上的外延生长
作者:
S. Chopra
;
V. Tran
;
B. Wood
;
Y. Kim
;
S. Kuppurao
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
33.
f_(MAX) increase to 500 GHz of SiGe HBTs at low temperature
机译:
F_(MAX)在低温下增加到500 GHz的SIGE HBTS
作者:
N. Zerounian
;
M. Diallo
;
F. Aniel
;
P. Chevalier
;
A. Chantre
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
34.
Control of Gate Metal Effective Work Functions and Interface Layer Thickness by Designing Interface Thermodynamics Based on Heteroatom Incorporation into High-k HfO_2 Gate Dielectrics
机译:
基于杂原子掺入到高K HFO_2栅极电介质的界面热力学控制栅极金属有效功函数和界面层厚度
作者:
K. Shiraishi
;
T. Hosoi
;
H. Watanabe
;
K. Yamada
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
35.
300mm Cold-Wall UHV/CVD Reactor For Low-Temperature Epitaxial (100) Silicon
机译:
300mm冷壁UHV / CVD反应器用于低温外延(100)硅
作者:
T. N. Adam
;
S. Bedell
;
A. Reznicek
;
D. K. Sadana
;
A. Venkateshan
;
T. Tsunoda
;
T. Seino
;
J. Nakatsuru
;
S.R. Shinde
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
36.
Self-Aligned NiGeSi Contacts on Gallium Arsenide for Ⅲ-Ⅴ MOSFETs
机译:
在Ⅲ-ⅴMOSFET上的砷化镓上自对齐的Nigesi触点
作者:
Xingui Zhang
;
Huaxin Guo
;
Hock-Chun Chin
;
Xiao Gong
;
Phyllis Shi Ya Lim
;
Yee-Chia Yeo
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
37.
Integration of Germanium Avalanche Photodetectors on Silicon for On-Chip Optical Interconnects
机译:
锗雪崩光电探测器在片上光电互连上的集成
作者:
Solomon Assefa
;
Fengnian Xia
;
Yurii A. Vlasov
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
38.
Extrinsic effects of indirect radiative transition of Ge
机译:
电气间接辐射转变的外在效应
作者:
S. -R. Jan
;
C. -H. Lee
;
T. -H. Cheng
;
Y. -Y. Chen
;
K. -L. Peng
;
S. -T. Chan
;
C. W. Liu
;
Yamamoto Yuji
;
Tillack Bernd
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
39.
In Situ XPS in Atomic Layer Deposition of Oxides on Ge (100)
机译:
原位XPS在GE(100)上的原子层沉积
作者:
S. Swaminathan
;
P.C. Mclntyre
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
40.
Ge/Si Waveguide Avalanche Photodiodes on SOI Substrates for High Speed Communication
机译:
GE / SI波导雪崩光电二极管在高速通信中的SOI基板上
作者:
Yimin Kang
;
Yuval Saado
;
Mike Morse
;
Mario J. Paniccia
;
Joe C. Campbell
;
John E. Bowers
;
Alexandre Pauchard
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
41.
Monolayer Passivation of Ge(100) Surface via Nitridation and Oxidation
机译:
通过氮化和氧化的Monolayer钝化Ge(100)表面
作者:
Joon Sung Lee
;
Sarah R. Bishop
;
Tobin Kaufman-Osborn
;
Evgueni Chagarov
;
Andrew C. Kummel
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
42.
Phosphorus Atomic Layer Doping in Si Using PH_3
机译:
使用pH_3掺杂磷原子层
作者:
Yuji Yamamoto
;
Junichi Murota
;
Bernd Tillack
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
43.
Selective epitaxial growth (SEG) of highly doped Si:P on Source/Drain areas of NMOS devices using Si_3H_8/PH_3/Cl_2 chemistry
机译:
使用Si_3H_8 / PH_3 / CL_2化学选择性外延Si的选择性外延生长(SIG)高度掺杂的Si:p在NMOS器件的源/漏区
作者:
M. Bauer
;
S.G. Thomas
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
44.
Novel Electronic and Optoelectronic Devices in Germanium Integrated on Silicon
机译:
锗的新型电子和光电器件集成在硅片上
作者:
Krishna C. Saraswat
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
45.
Vapor-liquid-solid growth of Si_(1-x)Ge_x and Ge/ Si_(1-x)Ge_x Axial Heterostructured Nanowires
机译:
Si_(1-x)Ge_x和Ge / Si_(1-x)Ge_x轴向异质结构纳米线的蒸汽 - 液 - 固体生长
作者:
Sharis Minassian
;
Xiaojun Weng
;
Joan M. Redwing
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
46.
Ge/Si Core/Shell Nanowire Structures for Tunneling Devices
机译:
用于隧穿装置的GE / SI核心/壳纳米线结构
作者:
Joshua T. Smith
;
Yanjie Zhao
;
Ali Razavieh
;
Chen Yang
;
Joerg Appenzeller
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
47.
Epitaxial Formation of Graphene on Si Substrates: from Heteroepitaxy of 3C-SiC to Si Sublimation
机译:
Si底物上石墨烯的外延形成:从3C-SiC的杂肝至Si升华
作者:
M. Suemitsu
;
H. Handa
;
E. Saito
;
H. Fukidome
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
48.
HCl selective etching of SiGe versus Si in stacks grown on (110)
机译:
HCL在(110)上生长的堆栈中SiGe对Si的选择性蚀刻
作者:
J.M. Hartmann
;
V. Destefanis
;
G. Rabillé
;
S. Monfray
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
49.
Critical Factors for Enhancement of Compressive Strain in SGOI Layers Fabricated by Ge Condensation Technique
机译:
GE凝结技术制造的SGOI层压缩菌株增强的关键因素
作者:
S. Takagi
;
K. Tomiyama
;
S. Dissanayake
;
M. Takenaka
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
50.
Optical Property of Si_(0.8)Ge_(0.2)/Si Multi- Layer Grown by using RPCVD
机译:
使用RPCVD生长的SI_(0.8)GE_(0.2)/ SI多层的光学性质
作者:
T. S. Kim
;
Y. -H. Kil
;
M. I. Shin
;
T. S. Jeong
;
S. Kang
;
C.-J. Choi
;
K. H. Shim
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
51.
Investigation of Process Parameters on the Properties of Selective Epitaxial Growth SiGe Structure
机译:
对选择性外延生长结构性质的过程参数研究
作者:
Sun-Wook Kim
;
J. -H. Yoo
;
Sang-mo Koo
;
Dae-Hong Ko
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
52.
Non-Contact and Non-Destructive Measurement of Ge and B Content in Si_(1-x)Ge_x/Si using Very High Resolution Multi-Wavelength Raman Spectroscopy
机译:
使用非常高分辨率的多波长拉曼光谱,Si_(1-x)Ge_x / si中Ge和B含量的非接触和非破坏性测量
作者:
Woo Sik Yoo
;
Takeshi Ueda
;
Toshikazu Ishigaki
;
Kitaek Kang
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
53.
Non-Contact and Non-Destructive Characterization of Laser Spike Annealed Si_(1-x)Ge_x/Si using Very High Resolution Multi-Wavelength Raman Spectroscopy
机译:
使用非常高分辨率的多波长拉曼光谱法的激光尖峰退火Si_(1-X)Ge_x / Si的非接触和非破坏性表征
作者:
Woo Sik Yoo
;
Takeshi Ueda
;
Toshikazu Ishigaki
;
Kitaek Kang
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
54.
Graphene FETs: Promises and Challenges
机译:
石墨烯FETS:承诺和挑战
作者:
Congqin Miao
;
YoungJu Park
;
Wei Liu
;
Yanjie Wang
;
Jing Zhu
;
Bo-Chao Huang
;
Jason Woob
;
Ya-Hong Xie
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
55.
Room-Temperature Resonant Tunneling Diode with High-Ge-Fraction Strained Si_(1-x)Ge_x and Nanometer-Order Ultrathin Si
机译:
室温谐振隧道二极管,具有高Ge馏分应变Si_(1-X)Ge_x和纳米序超薄Si
作者:
Masao Sakuraba
;
Kuniaki Takahashi
;
Junichi Murota
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
56.
Achievement of Excellent C-V Characteristics in GeO_2/Ge System Using Post Metal Deposition Annealing
机译:
使用金属沉积退火的GEO_2 / GE系统中优异的C-V特性实现
作者:
H. Koumo
;
Y. Suzuki
;
Y. Oniki
;
Y. Iwazaki
;
T. Ueno
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
57.
Enhancements of Direct Band Radiative Recombination from Ge
机译:
GE的直接带辐射重组的增强
作者:
T. -H. Cheng
;
K.-L. Peng
;
C. -Y. Ko
;
C.-Y. Chen
;
S. T. Chan
;
C. W. Liu
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
58.
Toward Si/SiGe Quantum Dot Spin Qubits: Gated Si/SiGe Single and Double Quantum Dots
机译:
向Si / SiGe量子点旋转Qubits:门控Si / SiGe单和双量子点
作者:
C. B. Simmons
;
J. R. Prance
;
Madhu Thalakulam
;
B. M. Rosemeyer
;
B. J. Van Bael
;
D. E. Savage
;
M. G. Lagally
;
R. Joynt
;
Mark Friesen
;
S. N. Coppersmith
;
M. A. Eriksson
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
59.
Near IR photodiodes with tunable absorption edge based on Ge1-y Sny alloys integrated on silicon
机译:
基于硅片集成的GE1-Y SNY合金的可调谐吸收边缘附近IR光电二极管
作者:
J. Mathews
;
R. Roucka
;
C. Weng
;
R. Beeler
;
J. Tolle
;
J. Menéndéz
;
J.Kouvetakis
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
60.
Elastically Strain-Sharing Si(110) Nanomembranes
机译:
弹性应变共享Si(110)纳米爆发
作者:
Deborah M. Paskiewicz
;
Shelley A. Scott
;
Donald E. Savage
;
Max G. Lagally
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
61.
Design, Manufacture and Performance of Germanium Bipolar Transistors
机译:
锗双极晶体管的设计,制造和性能
作者:
K. Li
;
H. S. Gamble
;
B. M. Armstrong
;
D. W. McNeill
;
G. A. Armstrong
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
62.
Modeling of NPN-SiGe-HBT Electrical Performance Improvement through Employing Si_3N_4 Strain in the Collector Region
机译:
NPN-SiGe-HBT电气性能改进的建模通过在收集器区域中使用Si_3N_4菌株
作者:
M. Al-Sadi
;
S. Fregonese
;
C.Maneux
;
T.Zimmer
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
63.
Effect of Heteroatom for Nitrogen Vacancy in SiN/SiO2 Interface Layer in MONOS-Type Memories
机译:
杂原子对纯/ SiO2界面层氮空位在单孔型存储器中的影响
作者:
K. Yamaguchi
;
A. Otake
;
K. Shiraishi
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
64.
Direct Heterointegration of Ⅲ-Ⅴ Materials on Group Ⅳ Substrates
机译:
Ⅲ-Ⅳ型材料的直接异源性
作者:
D.A. Ahmari
;
B.M. McDermott
;
S.G. Thomas
;
B.J. Roof
;
Q.J. Hartmann
;
X. Li
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
65.
Growth of Epitaxial Silicon-on-Insulator Substrates by Solid State Epitaxy
机译:
固态外延的外延硅与绝缘子基材的生长
作者:
F. Arkun
;
G. Vosters
;
S.Semans
;
A. Clark
;
R.S.Smith
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
66.
High-Mobility Ge on Insulator (GOI) by SiGe Mixing-Triggered Rapid-Melting-Growth
机译:
通过SiGe混合引发的快速熔化生长的绝缘体(GOI)高迁移率GE
作者:
T. Sadoh
;
M. Miyao
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
67.
Characterization of Interfaces between Chemically Cleaned or Thermally Oxidized Germanium and Metals
机译:
化学清洗或热氧化锗和金属之间的界面的表征
作者:
Hideki Murakami
;
Tomohiro Fujioka
;
Akio Ohta
;
Tatsuya Bando
;
Seiichiro Higashi
;
Seiichi Miyazaki
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
68.
Monochlorosilane for Low Temperature Silicon Epitaxy
机译:
单氯硅烷低温硅外延
作者:
P. Tomasini
;
K. D. Weeks
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
69.
Characterizations of direct band gap photolumincsccncc and electroluminescence from epi-Ge on Si
机译:
直接带隙光草显微镜CCC的特征与SI的EPI-GE的电致发光
作者:
Szu-Lin Cheng
;
Gary Shambat
;
Jesse Lu
;
Hyun-Yong Yu
;
Krishna Saraswat
;
Jelena Vuckovic
;
Yoshio Nishi
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
70.
Fabrication and Properties of Abrupt Si-Ge Heterojunction Nanowire Structures
机译:
突然Si-Ge异质结纳米线结构的制造与性能
作者:
C.-Y. Wen
;
M. C. Reuter
;
J. Tersof
;
E. A. Stach
;
F. M. Ross
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
71.
Electrical Properties of Yttrium-Titanium Oxide High- κ Gate Dielectric on Ge
机译:
电气钇 - 氧化钛高κ门电介质的电性能
作者:
M.K. Beraa
;
P. Ahmeta
;
K. Kakushima
;
K. Tsutsui
;
N. Sugii
;
A. Nishiyama
;
T.Hattori
;
H. Iwai
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
72.
Epitaxial Growth Of Ill-Nitrides On Silicon Substrates
机译:
硅基衬底上的不含氮化物的外延生长
作者:
S. Degroote
;
M. Leys
;
K. Cheng
;
B. Sijmus
;
J. Derluyn
;
G. Borghs
;
M. Germain.
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
73.
Growth and Optical Properties of InGaAs via Ge-based Virtual Substrates: A New Chemistry based Strategy
机译:
基于GE的虚拟基板的InGaAs的生长和光学性质:基于新的化学策略
作者:
Richard Beeler
;
Change Weng
;
John Tolle
;
Radek Roucka
;
Jay Mathews
;
David A.Ahmari
;
Jose Menendez
;
John Kouvetakis
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
74.
>10~(20) cm~(-3) n-doping in Ge by Sb/P Co-implants: n~+/p Diodes with Improved Rectification
机译:
通过SB / P植入物(GE)> 10〜(20)cm〜(-3)N-掺杂CO型植入物:N〜+ / P二极管,改善整流
作者:
Jeehwan Kim
;
Stephen W. Bedell
;
Devendra K. Sadana
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
75.
A Physics-Based Trap-Assisted Tunneling Current Model for Cryogenic Temperature Compact Modeling of SiGe HBTs
机译:
基于物理的陷阱辅助隧道电流模型,用于SiGe Hbts的低温温度型号
作者:
Ziyan Xu
;
Guofu Niu
;
Lan Luo
;
John D. Cressler
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
76.
High Power Waveguide Ge/Si Photodiodes
机译:
高功率波导GE / SI光电二极管
作者:
J. E. Bowers
;
M. Piels
;
A. Ramaswamy
;
T. Yin
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
77.
Boosting the On-Current of Si-Based Tunnel Field-Effect Transistors
机译:
促进基于Si的隧道场效应晶体管的电流
作者:
A. S. Verhulst
;
W. G. Vandenberghe
;
D. Leonelli
;
R. Rooyackers
;
A. Vandooren
;
G. Pourtois S. De Gendt
;
M. M. Heyns
;
G. Groeseneken
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
78.
Technology Computer-Aided Design (TCAD) Feasibility Study of Scaling SiGe HBTs
机译:
技术计算机辅助设计(TCAD)缩放SiGE HBT的可行性研究
作者:
R.A. Camillo-Castillo
;
A.D. Strieker
;
J.B. Johnson
;
A. Appaswarmy
;
R.A. Malladi
;
A.J. Joseph
;
D.L.Harame
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
79.
Strain Engineering for Fully-Depleted SOI Devices
机译:
全耗尽SOI器件的应变工程
作者:
Ali Khakifirooz
;
Pranita Kulkarn
;
Stephen Bedell
;
Kangguo Cheng
;
Devendra Sadana
;
Bruce Doris
;
Ghavam Shahidi
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
80.
Strain Engineering and Junction Design for Tunnel Field-Effect Transistor
机译:
隧道场效应晶体管应变工程和结设计
作者:
Yee-Chia Yeo
;
Genquan Han
;
Yue Yang
;
Pengfei Guo
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
81.
Surface Orientation Effects on SiGe Quantum Dots and Nanorings Formation
机译:
SiGe量子点和纳米簇形成的表面方向效应
作者:
C.-H. Lee
;
W. H. Tu
;
C. -M. Lin
;
H. T. Chang
;
S. W. Lee
;
C. W. Liu
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
82.
Growth of MnGe Nanostructures for Spintronics Applications
机译:
用于闪光灯的Mnge纳米结构的生长
作者:
K. L. Wang
;
Faxian Xiu
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
83.
Direct Parameter Extraction of Base and Emitter Resistances for SiGe HBTs Using DC Data Only
机译:
仅使用直流数据的SiGe HBT直接参数提取基础和发射极电阻
作者:
M. Mudholkar
;
H. A. Mantooth
;
G. Niu
;
J. D. Cressler
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
84.
Comparative Experimental Study Between Diamond And Conventional MOSFET
机译:
钻石和传统MOSFET之间的比较实验研究
作者:
S. P. Gimenez
;
D. M. Alati
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
85.
Strain Mapping of Layers And Devices Using Electron Holography
机译:
使用电子全息术层和器件的应变映射
作者:
A. Claverie
;
N. Cherkashin
;
F. Hue
;
S. Reboh
;
F. Houdellier
;
E. Snoeck
;
M. Hytch
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
86.
Atomic Control of Doping during Si Based Epitaxial Layer Growth Processes
机译:
基于Si基外延层生长过程中掺杂的原子控制
作者:
B. Tillack
;
Y. Yamamoto
;
J. Murota
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
87.
Practical Strategies for Tuning Optical, Structural and Thermal Properties in Group IV Ternary Semiconductors
机译:
在IV组三元半导体中调谐光学,结构和热性能的实用策略
作者:
A.V.G Chizmeshya
;
J. Kouvetakisa
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
88.
Misfit Stress Relaxation Mechanism in GeO_2/Ge Systems: A Classical Molecular Simulation Study
机译:
GEO_2 / GE系统中的误操作应力松弛机制:经典分子模拟研究
作者:
T. Watanabe
;
T. Onda
;
I. Ohdomari
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
89.
Applications of Epitaxy for Semiconductor Technology
机译:
外延对半导体技术的应用
作者:
D. K. Sadana
;
S. Bedell
;
T. N. Adam
;
A. Reznicek
;
H.He
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
90.
Stable Position of B_(12) Cluster Near Si(001) Surface and Its STM Images
机译:
Si(001)表面附近的B_(12)簇的稳定位置及其STM图像
作者:
T. Maruizumi
;
S. Ito
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
91.
Strain Scaling and Modeling for FETs
机译:
FET的应变缩放和建模
作者:
Victor Moroz
;
Munkang Choi
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
92.
Advanced Strained-Silicon and Core-Shell Si/Si1-xGex Nanowires for CMOS Transport Enhancement
机译:
高级应变 - 硅和核心壳Si / Si1-XGex纳米纳米,用于CMOS传输增强
作者:
Pouya Hashemi
;
C. D. Poweleit
;
M. Canonico
;
J. L. Hoyt
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
93.
Strain Stability in Nanoscale Patterned Strained Silicon-On-Insulator
机译:
纳米级图案条带硅 - 绝缘体中的应变稳定性
作者:
O. Moutanabbir
;
M. Reiche
;
A. Hahne
;
W. Erfurth
;
A. Tarun
;
N. Hayazawa
;
S.Kawata
;
F. Naumann
;
M. Petzold
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
94.
Si, SiGe, Ge, and III-V Semiconductor Nanomembranes and Nanowires Enabled by SiGe Epitaxy
机译:
SiGe外延使得Si,SiGe,Ge和III-V半导体纳米爆炸和纳米线
作者:
Marius Orlowski
;
Coumba Ndoye
;
Tong Liu
;
Mantu Hudait
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
95.
Kinetic model of SiGe selective epitaxial growth using RPCVD technique
机译:
RPCVD技术的SiGe选择性外延生长动力学模型
作者:
M. Kolahdouz
;
L. Maresca
;
R. Ghandi
;
A. Khatibi
;
H. H. Radamson
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
96.
Enablement and Optimization of SiGe HBTs for Extreme Environment Electronics
机译:
极端环境电子机构SiGe HBT的启用与优化
作者:
Guofu Niu
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
97.
Ge surfaces and its passivation by rare earth lanthanum germanate dielectric
机译:
GE表面及其稀土镧锗介质的钝化
作者:
A. Dimoulas
;
D. Tsoutsou
;
S. F. Galata
;
Y. Panayiotatos
;
G. Mavrou
;
E. Golias
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
98.
Aspect Ratio Trapping: a Unique Technology for Integrating Ge and Ⅲ-Ⅴs with Silicon CMOS
机译:
纵横比诱捕:用硅CMOS整合GE和Ⅲ-Ⅳ的独特技术
作者:
J. G. Fiorenza
;
J.-S. Park
;
J. M. Hydrick
;
J.Li
;
J. Z. Li
;
M. Curtin
;
M. Carroll
;
A. Lochtefeld
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
99.
Feasibility of Ge CMOS for Beyond Si-CMOS
机译:
GE CMOS超越SI-CMOS的可行性
作者:
A. Toriumi
;
C. H. Lee
;
T. Nishimura
;
K. Kita
;
S. K. Wang
;
M. Yoshida
;
K. Nagashio
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
100.
Si-Ge-Sn Technologies: From Molecules to Materials to Prototype Devices
机译:
SI-GE-SN技术:从分子到原型设备
作者:
J. Kouvetakis
;
J. Tolle
;
J. Mathews
;
R. Roucka
;
J. Menendez
会议名称:
《SiGe, Ge, and related compounds: materials, processing, and devices symposium》
|
2010年
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