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机译:SOI厚度对镍全硅化物金属栅极应变SOI MOSFET器件性能和栅极氧化物可靠性的影响
Department of Electronic Engineering, Feng Chia University, No. 100 Wenhwa Rd., Seatwen, Taichung 407, Taiwan;
Department of Electrical Engineering, National University of Kaohsiung, Kaohsiung 811, Taiwan;
soi; strained soi; strain silicon; contact etch stop layer (cesl); gate oxide reliability; tddb; low frequency noise (lfn);
机译:SOI厚度对Ni全硅化物金属门极应变SOI MOSFET器件性能和栅极氧化物可靠性的影响(vol 88,pg 258,2010)
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机译:采用氮化物氧化物的金属栅极自对准mOsFET