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-5V背栅偏压下薄膜全耗尽SOI PMOSFET导电机理的理论分析

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摘要

我们由TF FD AM SOI PMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加偏压的变化出发,对其在-5V背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的探讨,导出了各种条件下漏源电流的解析表达式,为今后的高温SOICMOS数字电路的实验研究奠定了一定的理论基础.

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来源
《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》|2001年|282-285|共4页
会议地点昆明
作者
张海鹏; 宋安飞; 魏同立;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类材料;
关键词
背栅偏压; 导电机理; SOI PMOSFET材料;
入库时间 2022-08-17 10:21:38

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