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魏丽琼; 程玉华; 孙玉秀; 阎桂珍; 李映雪; 武国英; 王阳元;
北京大学微电子学研究所;
MOSFET; SIMOX; SOI; 薄膜; 硅膜厚度; 背栅;
机译:大剂量SIMOX晶圆上的全耗尽SOI MOSFET静态背栅跨导特性中的纽结效应的新方面和机理
机译:在SOI岛中制造的全耗尽双栅极薄膜SOI P-MOSFET,具有隔离的掩埋多晶硅背栅
机译:背栅电压和掩埋氧化物的厚度对77 K下完全耗尽的SOI MOSFET的串联电阻有影响
机译:具有隔离式掩埋多晶硅背栅的全耗尽双栅薄膜SOI p-MOSFET
机译:适用于部分耗尽型绝缘体上硅(SOI)MOSFET的面积有效体接触。
机译:FinFET和带铁电电容器的全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)MOSFET的磁滞窗口研究
机译:全耗尽sOI(硅 - 氧化物)mOsFET中的导电分析
机译:减少寄生背栅电容的全耗尽SOI器件
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