机译:背栅电压和掩埋氧化物的厚度对77 K下完全耗尽的SOI MOSFET的串联电阻有影响
机译:背栅电压和掩埋氧化物的厚度对77 K下完全耗尽的SOI MOSFET的串联电阻有影响
机译:围绕/圆柱形栅极完全耗尽的薄膜SOI MOSFET的温度相关阈值电压分析范围为77至520 k
机译:完全耗尽的SOI MOSFET中由于SOI厚度变化引起的阈值电压波动的抑制
机译:后栅极电压对300 k和77 k完全耗尽的SOI MOSFET的总串联电阻的影响
机译:用于超低压应用的钨栅完全耗尽SOI CMOS器件和电路的研究。
机译:具有高k La2O3 / ZrO2栅极电介质的肖特基势垒SOI-MOSFET
机译:栅极凹陷纳米型SOI MOSFET中电气特性和串联电阻的频道厚度影响
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响