机译:围绕/圆柱形栅极完全耗尽的薄膜SOI MOSFET的温度相关阈值电压分析范围为77至520 k
Silicon on insulator MOSFET; Double gate MOSFRT; Surrounding/cylindrical gale MOSFET; Short channel effects;
机译:适用于圆柱型全耗尽环绕栅(SG)MOSFET的新二维阈值电压模型
机译:适用于圆柱形,完全耗尽的环绕栅(SG)MOSFET的紧凑型分析二维阈值电压模型
机译:短通道全耗尽圆柱/环绕栅MOSFET的电势分布和阈值电压的解析2D建模
机译:圆柱形,全耗尽,环绕栅(SG)MOSFET的紧凑型分析二维阈值电压模型
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:超薄Hf-Ti-O高k栅介电薄膜的电学特性及其在ETSOI MOSFET中的应用
机译:中央电场和累积模式连接圆柱围绕栅极MOSFET的阈值电压
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响