silicon-on-insulator; MOSFET; semiconductor device breakdown; semiconductor device reliability; NBTI; partially depleted SOI transistors; ultra-thin gate dielectrics; gate dielectric thickness; body tied transistors; degradation; floating body; NBTI self-healing; 11 /spl Aring/;
机译:使用0.35μm部分耗尽晶体管的CAD兼容SOI-CMOS门阵列
机译:带有累积背栅的部分耗尽和完全耗尽的绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管的正背栅耦合起源
机译:具有超薄SiON栅极电介质的PMOSFET在NBTI应力期间的SILC
机译:超薄栅极电介质部分耗尽的SOI晶体管NBTI的新发现
机译:纳米N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的超薄氧化物和氮化物/氧化物堆叠的栅极电介质研究
机译:顶栅石墨烯纳米带晶体管具有超薄高k电介质
机译:具有超薄高k栅极电介质的黑色磷晶体管中载波运输的界面工程