部分耗尽SOI MOSFET NBTI效应研究

摘要

cqvip:NBTI效应严重影响了器件的高温可靠性,本文对基于1.2μm工艺的PDSOI器件进行了NBTI效应研究。通过加速应力试验得到了NBTI效应对PDSOI器件阈值电压漂移的影响,其主要影响因素有应力时间、温度和栅偏压。试验中通过Vg模型对PDSOI器件进行了NBTI效应寿命预测,实现了对自有1.2μm工艺PDSOI器件的高温可靠性评价。