机译:模拟完全耗尽,部分耗尽和人体接地的SOI MOSFET的浮体效应
Department of Electrical and Electronic Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong;
SOI; SOI devices; circuit simulation; device model; SPICE; BSIMSOI;
机译:基于表面和体电位统一区域建模的部分/动态/完全耗尽的DG / SOI MOSFET的浮体效应
机译:包括高压和浮体效应的部分耗尽型绝缘体上硅漏极扩展MOSFET(DEMOSFET)的紧凑模型
机译:SOI初始材料质量对部分耗尽的浮体SOI MOSFET的低频噪声特性的影响
机译:在低温操作中对0.13μm浮体部分耗尽的SOI N-MOSFET的光晕效应
机译:纳米栅极长度部分耗尽硅-NON-insulator CMOS器件和电路中浮体效应的分析,建模和控制
机译:FinFET和带铁电电容器的全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)MOSFET的磁滞窗口研究
机译:用于模拟电路仿真的基于物理的部分耗尽sOI mOsFET的紧凑模型