可同时具有部分耗尽晶体管与完全耗尽晶体管的芯片及其制作方法

摘要

本发明主要提出两种不同型态的完全耗尽晶体管，并且将完全耗尽晶体管与部分耗尽晶体管整合于单一芯片上。可通过调整栅极层的长度，以决定平面晶体管是完全耗尽或是部分耗尽。完全耗尽晶体管的栅极层长度较部分耗尽晶体管的栅极层长度为长。或是通过调整晶体管有源区的宽度，以决定晶体管是完全耗尽或是部分耗尽。完全耗尽晶体管的有源区宽度较部分耗尽晶体管的有源区宽度为窄。不断地减少有源区的宽度，可以形成一多重栅极晶体管，当该多重栅极晶体管的有源区宽度减少至小于耗尽区宽度的两倍时，该多重栅极晶体管便是完全耗尽。如此一来，在单一芯片上就可同时制备完全耗尽晶体管与部分耗尽晶体管。