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Xihua University
Master Degree Dissertation
摘 要
Abstract
1 绪论
1.1 引言
1.2 SOI-LDMOS器件静态耐压研究的国内外现状
1.2.1 国外研究现状
1.2.2 国内研究现状
1.3 SOI-LDMOS器件动态耐压研究现状
1.4 课题研究意义
2.1 SOI深耗尽效应产生的物理机制
2.1.1 深耗尽效应状态简介
2.1.2 理想MIS结构的电容—电压特性
2.2 动态仿真测试电路
2.3 SOI-LDMOS衬底深耗尽效应对器件性能的影响
2.3.1 衬底深耗尽效应对RESURF效应的影响
2.3.2 衬底深耗尽效应对器件导通特性的影响
2.4 衬底深耗尽效应的参数优化
2.5 本章小结
3.1 动态耐压下SOI的二维耐压模型建立
3.1.1 漂移区的模型建立
3.1.2 衬底耗尽区模型的建立
3.2 衬底深耗尽效应对耐压特性改变的物理机制
3.2.1 衬底深耗尽效应对RESURF效应的改善
3.2.2 衬底耗尽区对纵向击穿特性的的影响
3.3 本章小结
4 衬底深耗尽效应在ZVS半波准谐振变换器中的运用
4.1 开关技术的分类
4.1.1 硬开关技术
4.1.2 软开关技术(Soft-Switching)
4.1.3 广义软开关（Generalized Soft Switching)
4.2 ZCS/ ZVS谐振转换器简介
4.3 ZVS准谐振转换器
4.3.1 ZVS半波准谐振变换器简介
4.3.2 ZVS-QRC的仿真验证
4.4 SOI-LDMOS器件在ZVS-QRC中的仿真验证
4.5 SOI-LDMOS器件的衬底掺杂浓度对ZVS-QRC的影响
4.6 SOI-LDMOS器件的漂移区掺杂浓度对ZVS-QRC的影响
4.7 本章总节
参考文献
攻读硕士学位期间发表论文及科研成果
致 谢
