CMOS integrated circuits; semiconductor device breakdown; integrated circuit reliability; electric breakdown; leakage currents; breakdown spot; progressive breakdown; ultra-thin gate oxides; CMOS circuits; gate leak-age levels; circuit operation; gate oxide conductance; 50 kohm;
机译:电导率和击穿点尺寸对薄SiO_2栅氧化物的逐步击穿的影响
机译:竞争性超薄栅极氧化物逐步击穿模式的时空缺陷过程模型
机译:建模超薄SIO_2栅氧化物的击穿和击穿统计
机译:超薄栅极氧化物逐步崩溃期间击穿斑点的结构
机译:偏置温度不稳定性和高级栅极电介质的逐步击穿的实验研究。
机译:细分为氧化石墨烯的纳米级:有限的热点原子还原和断裂
机译:超薄栅极氧化物的氧化物击穿电压和温度加速度的相互作用
机译:重离子击穿过程中栅极氧化物的击穿