机译:用于高性能模拟应用的渐变沟道绝缘体上硅nMOSFET的低温运行
机译:使用渐变通道绝缘体上硅nMOSFET的模拟电路设计
机译:高性能低于50 nm沟道绝缘体上硅单栅极Soi Mosfet的设计可行性和前景
机译:模拟和短频道效应Sub-100 NM分级频道的性能在绝缘体上完全耗尽硅(SOI)
机译:完全耗尽的Δ沟道SOI NMOSFET的实现
机译:三重热氧化和硅玻璃阳极键合制备和表征亚100/10 nm平面纳米流体通道
机译:绝缘体上低于100 nm渐变沟道的全耗尽硅的模拟和短沟道效应性能(SOI)
机译:全耗尽sOI(绝缘体上硅)mOsFET的短沟道效应