机译:用于高性能模拟应用的渐变沟道绝缘体上硅nMOSFET的低温运行
机译:具有超薄硅通道的35 nm完全耗尽绝缘体上硅器件中衬套效应的力学和电学分析
机译:使用渐变通道绝缘体上硅nMOSFET的模拟电路设计
机译:模拟和短频道效应Sub-100 NM分级频道的性能在绝缘体上完全耗尽硅(SOI)
机译:完全耗尽的Δ沟道SOI NMOSFET的实现
机译:三重热氧化和硅玻璃阳极键合制备和表征亚100/10 nm平面纳米流体通道
机译:绝缘体上低于100 nm渐变沟道的全耗尽硅(SOI)的模拟和短沟道效应性能 ud ud
机译:全耗尽sOI(绝缘体上硅)mOsFET的短沟道效应