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K.Konrad Young; 宋湘云;
麻省理工学院林肯实验室;
SOI; MOSFET; 短沟道效应;
机译:深亚微米双材料栅极(DMG)部分耗尽的SOI MOSFET中抑制短沟道效应的证据-二维分析方法
机译:完全耗尽的SOI-MOSFET的完全基于表面电势的紧凑模型,包括短沟道效应
机译:完全耗尽的SOI MOSFET中的短沟道效应
机译:双材料栅极(DMG)部分耗尽的SOI MOSFET的阈值电压的分析模型以及减少的短沟道效应的证据
机译:适用于部分耗尽型绝缘体上硅(SOI)MOSFET的面积有效体接触。
机译:基于声子散射机理的超薄体FD SOI MOSFET导热特性研究
机译:控制深亚微米sOI mOsFET中的短沟道效应 提高可靠性:回顾
机译:全耗尽sOI(绝缘体上硅)mOsFET的短沟道效应
机译:自耗尽边缘背栅引起的具有反向短沟道效应(SCE)的全耗尽型低体掺杂场效应晶体管(FET)
机译:控制非常短沟道MOSFET的短沟道效应的结构和方法
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