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高勇; 冯松; 杨媛;
西安理工大学电子工程系;
深亚微米; 绝缘体上硅; 金属氧化物半导体场效应晶体管; 参数提取;
机译:物理亚阈值MOSFET建模应用于深亚微米全耗尽SOI低压CMOS技术的可行设计
机译:深亚微米全耗尽SOI MOSFET的阈值电压模型,具有背栅衬底引起的表面电势效应
机译:深亚微米全耗尽SOI MOSFET的阈值电压建模
机译:深亚微米全耗尽SOI MOSFET的亚阈值斜率的二维模型
机译:蒙特卡洛研究了低功率深亚微米n-MOSFET中的热载流子退化和器件性能。
机译:FinFET和带铁电电容器的全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)MOSFET的磁滞窗口研究
机译:对深亚微米FD-SOI MOSFET热噪声的自热响应
机译:深亚微米全耗尽sOImOsFET的DLTs和动态跨导分析
机译:提取SPICE参数,进行香料计算以及对部分耗尽的SOI MOSFET进行器件仿真的方法
机译:部分耗尽型SOI MOSFET的香料参数提取,香料计算和器件分析方法
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