全耗尽Air_AlN_SOI MOSFETs器件结构及其制备方法

摘要

本发明公开的一种全耗尽Air_AlN_SOI MOSFETs器件结构，包括栅极、Si3N4侧墙，栅极和Si3N4侧墙下面设置的栅氧化层，栅氧化层的正下方设置有沟道区，沟道区的两边分别设置有源区和漏区，源区、漏区与沟道区接触的内侧设置有扩展区，沟道区、源区和漏区的下方依次为绝缘层和硅衬底，其特点是绝缘层由Air和Air两侧设置的AlN绝缘层组成，Air设置于沟道区的正下方。通过先制备得到硅衬底，在用掩膜对硅片上的硅区进行各向异性，形成中间空余的结构，在使用现有方法实现上部分的结构。该器件结构能同时解决SOI器件中的自加热效应和SOAN器件中的泄漏电流增大和阈值电压漂移问题。