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机译:InGaAs SWIR检测器的器件内钝化的全耗尽InP纳米层
Indium phosphide; III-V semiconductor materials; Detectors; Passivation; Dark current; Heterojunctions;
机译:InGaAs光电探测器的设备内部耗尽钝化层的优化
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机译:超快速,双耗尽区InGaAs / InP p-i-n检测器
机译:InGaAs / InP引脚检测器与采用InP体微加工的单模光纤的无源耦合
机译:被动锁模InGaAsP / InP半导体激光器的高工作温度
机译:使用SWIR InGaAs摄像机进行实时动态3D形状重构
机译:具有InGaas / Gaassb II型量子阱的sWIR / mWIR Inp基p-i-n光电二极管