两种改进边缘效应的全耗尽MOSFET器件的制备及对辐射的影响

摘要

采用硅岛隔离和经过辐照过的LOCOS隔离制备的SOIMOSFET器件通常都会出现边缘效应，即会出现亚阈值斜率的“隆起”(HUMP)效应.针对产生边缘效应产生的不同原因，我们分别采取了圆角化工艺和类BTS结构来改进辐照前后的MOSFET器件，试验证明，这些改进减小甚至消除了边缘效应的产生，成功制各了合乎要求的器件。