首页>外文期刊>电子学、通信>Microelectronics & Reliability

Microelectronics & Reliability

中文名称：微电子学与可靠性

ISSN：0026-2714
出版周期：

发文量：220

期刊论文

热门论文

年度选择

1999
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第8期
- 第9期
- 第10期
- 第11期
- 第12期
- 第6a7期
1998
- 第1期
- 第3期
- 第10期
- 第6a8期

更多>>

全选（0）

1.Investigation of MOSFET operation in bipolar mode

机译：双极模式下MOSFET工作的研究
- 作者：V.S.Pershenkov;V.V.Belyakov;S.V.Cherepko
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第1期
2.Interconnect resistance characteristics of several flip-chip bumping and assembly techniques

机译：几种倒装凸块和组装技术的互连电阻特性
- 作者：Earl Nicewarner
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第1期
3.Hot carrier effects in polycrystalline silicon thin-film transistors: analysis of electrical characteristics and noise performance odifications

机译：多晶硅薄膜晶体管中的热载流子效应：电特性和噪声性能归因的分析
- 作者：L.Mariucci;A.Pecora;S.Giovannini
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第1期
4.Recent advances in the theory of oxide-semiconductor interfaces

机译：氧化物-半导体界面理论的最新进展
- 作者：Arhur H.Edwards;W.Beall Fowler
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第1期
5.Avoidance of stiction in the release of highly boron doped micro-actuatiors fabricated using BESOI substrates

机译：避免使用BESOI基板制造的高硼掺杂微执行器释放时产生静摩擦
- 作者：M.A.Rosa;S.Dimitrijiev;H.B.Harrson
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第1期
6.A step forward in the transient thermal characterization of chips and packages

机译：芯片和封装的瞬态热表征向前迈出了一步
- 作者：V.Szekely;M.Rencz;B.Courtois
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第1期
7.Analysis of high temperature effects on performances and hot-carrier degradtion in DC/AC stressed 0.35μm n-MOSFETs

机译：高温对DC / AC应力0.35μmn-MOSFETs性能和热载流子退化的影响分析
- 作者：A.Bravaix;D.Goguenheim;N.Revil
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第1期
8.Failure analysis for RF characteristics of GaAs MESFETs

机译：GaAs MESFET射频特性的故障分析
- 作者：Jae Kyoung Mun;Chung-Hwan Kim;Jae Jin Lee
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第1期
9.Dislocation multiplication inside contact holes

机译：接触孔内的位错倍增
- 作者：Y.F.Hsieh;Y.C.Hwang;J.M.Fu
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第1期
10.Plasma cleaning of plastic ball grid array package

机译：等离子清洗塑料球栅阵列包装
- 作者：C.Lee;R.Gopalakrishnan;K.Nyunt
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第1期
11.Al thermomigration applied to the formation of deep unctions for power device insulation

机译：铝热迁移应用于功率器件绝缘深部连接的形成
- 作者：J-M.Dilhac;L.Cornibert;C.Ganibal
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第1期
12.A study on the leakage current of poly-Si TFTs fabricated by metal induced lateral crystallization

机译：金属诱导的横向结晶制备的多晶硅TFT的漏电流研究
- 作者：Tae-Hyung Ihn;Tae-Kyung Kim;Byung-Il Lee
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第1期
13.Thermal resistance degradation of surface mounted power devices during thermal cycling

机译：热循环期间表面安装功率器件的热阻降低
- 作者：J.Naderman;R.T.H.Rongen
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第1期
14.A new failure mechanism by corrosion of tungsten in a tungsten plug pocess

机译：钨塞工艺中钨腐蚀的新失效机理
- 作者：S.Bothra;H.Sur;V.Liang
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第1期
15.Ball grid array reliability assessment for aerospace applications

机译：航空航天应用的球栅阵列可靠性评估
- 作者：R.Ghaffarian;N.P.Kim
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第1期
16.High current bond design rules based on bond pad degradaton and fusing of the wire

机译：基于键合焊盘退化和导线熔断的大电流键合设计规则
- 作者：B.Krabbenborg
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第1期
17.An insulated gate bipolar transistor employing the plugged n + anode

机译：使用插入的n +阳极的绝缘栅双极晶体管
- 作者：J.H.Chun;B.H.Lee;D.S.Byeon;D.Y.Kim
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第1期
18.Total dose dependence of radiation-induced leakage current in ultra-thin gate oxides

机译：超薄栅氧化物中辐射引起的泄漏电流的总剂量依赖性
- 作者：M.Ceschia;A.Paccagnella;A.Scarpa
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第2期
19.Switching events in the soft breakdown I-t characteristic of ultra-thin SiO_2 layers

机译：超薄SiO_2层的软击穿I-t特性中的开关事件
- 作者：E.Miranda;J.Sune;R.Rodriguez
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第2期
20.Stress-induced leakage current in very thin dielectric layers: some limitations to reliability extrapolation modeling

机译：应力在非常薄的介电层中引起的泄漏电流：可靠性外推建模的一些限制
- 作者：S.Bruyere;E.Vincent;G.Ghibaudo
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第2期
21.Electric breakdowns and breakdown mechanisms in ultra-thin silicon oxides

机译：超薄氧化硅中的电击穿和击穿机理
- 作者：J.C.Jackson;O ORALKAN;D.J.DUMIN
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第2期
22.Thin stoichimetric silicon nitride prepared by r.f.reactive sputtering

机译：通过射频反应溅射制备的化学计量薄的氮化硅
- 作者：F.Qian;g.Temmel;R.Schnupp
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第2期
23.High electricla resistivity of CVD-diamond

机译：CVD金刚石的高电阻率
- 作者：J.V.Manca;M.Nesladek;M.Neelen
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第2期
24.MOCVD of ferroelectric thin films

机译：铁电薄膜的MOCVD
- 作者：C.Schmidt;E.P.Burte
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第2期
25.Measurement and modeling of the annealing kinetics of stress induced leakage current in ultra-thin oxides

机译：超薄氧化物中应力引起的漏电流退火动力学的测量和建模
- 作者：P.Riess;G.Ghibaudo;G.Pananakakis
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第2期
26.ONO and NO interpoly dielectric conduction mechanisnms

机译：ONO与NO互介电传导机理。
- 作者：B.De Salvo;G.Ghibaudo;G.Pananakakis
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第2期
27.On the correlation between SILC and hole fluence throughout the oxide

机译：关于SILC与整个氧化物的空穴通量之间的相关性
- 作者：A.Scarpa;B.De Salvo;G.Ghibaudo
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第2期
28.Characterization of oxide etching and wafer cleaning using vapor phase anhydrous hydrofluoric acid and ozone

机译：使用气相无水氢氟酸和臭氧进行氧化物蚀刻和晶圆清洗的表征
- 作者：A.J.Bauer;B.Froeschle;M.Beichele
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第2期
29.Breakdown properties of metal/NIDOS SiO_2/silicion structures

机译：金属/ NIDOS SiO2 /硅结构的击穿性能
- 作者：P.Temple-Boyer;F.Olivie;E.Scheid
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第2期
30.Analysis of space and energy distribution of stress-induced oxide traps

机译：应力诱发氧化物陷阱的空间和能量分布分析
- 作者：A.S.Spinelli;A.L.Lacaita;D.Minelli
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第2期
31.Density functional theory appliced to the calculation of dielectric constant of low-K materials

机译：密度泛函理论在低K材料介电常数计算中的应用
- 作者：A.Courtot-Descharles;F.Pirs;P.Paillet
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第2期
32.Opticla characterization of ion implantation in Si and Si/SiO_2 structures: spectrollipsometric (SE) and second harmonic generation (SHG) results

机译：Si和Si / SiO_2结构中离子注入的Opticla表征：光谱法（SE）和二次谐波产生（SHG）结果
- 作者：O.Buiu;S.Taylor;L.Culiuc
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第2期
33.Experimental study of the quasi-breakdwon failure mechanism in 4.5 nm-thick SiO_2 oxides

机译：4.5 nm厚的SiO_2氧化物准破壁破坏机理的实验研究
- 作者：D.Goguenheim;A.Bravaix;D.Vuillaume
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第2期
34.Dielectric characterization of ferrolelectric thin films deposited on silicon

机译：沉积在硅上的铁电薄膜的介电特性
- 作者：C.Legrand;T.Haccart;G.Velu
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第2期
35.Dielectric and ferroelectric properties of Perovskite Pb(Zr, Ti) O_3 films deposited by sputtering on Si substrate

机译：通过溅射沉积在Si衬底上的钙钛矿Pb（Zr，Ti）O_3薄膜的介电和铁电性能
- 作者：G.Velu;G.Remiens
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第2期
36.Low pressure chemicla vapor deposition from TEOS-NH_3 mixtures: thermochemiccal study of the process considering kinetic data

机译：从TEOS-NH_3混合物中进行低压化学气相沉积：考虑动力学数据的过程热化学研究
- 作者：C.Vahlas;V.Em.Vamvakas;D.Davazoglou
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第2期
37.Gate oxide reliability improvement related to dry local oxidation of silicon

机译：与硅干局部氧化有关的栅极氧化物可靠性提高
- 作者：P.Bellutti;N.Zorzi;G.verzellesi
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第2期
38.On positive charge annihilation and stress-induced leakage current decrease

机译：正电荷an灭和应力引起的漏电流降低
- 作者：A.Meinertzhagen;C.Petit;M.Jourdain
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第2期
39.Modelling mehodology of silicon ocidation from quantum calculations to Monte Carlo level

机译：从量子计算到蒙特卡洛能级的硅氧化建模方法
- 作者：A.Esteve;M.Djafari Rouhani;D.Esteve
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第2期
40.A study of the interface states in MIS-structures with thin SiO_2 and SiO_xN_y layers using deep level transient spectroscopy

机译：利用深能级瞬态光谱研究薄SiO_2和SiO_xN_y层的MIS结构中的界面态
- 作者：R.Beyer;H.Burghardt;E.Thomas
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第2期
41.Opticla dispersion analysis within the IR range of thermally grown and TEOS depostied SiO_2 films

机译：在热生长和TOES沉积的SiO2薄膜的红外范围内进行Opticla分散分析
- 作者：Dimitris Davazoglou;Vassilis Em;Vamvakas
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第2期
42.Degradation of electron irradiated MOS capacitors

机译：电子辐照MOS电容器的性能下降
- 作者：A.Candelori;A.Paccagnella;A.Scarpa
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第2期
43.Comparison between the properties of amorphous and crystalline Ta_2O_5 thin films deposited on Si

机译：沉积在Si上的非晶Ta_2O_5和晶体Ta_2O_5薄膜的性能比较
- 作者：C Chaneliere;S.Four;J.L.Autran
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第2期
44.Degradation of InGaAs/InP single heterojunction bipolar transistors under high energy electron irradiation

机译：高能电子辐照下InGaAs / InP单异质结双极晶体管的降解
- 作者：A.Bandyopadhyay;S.Subramanian;S.Chandrasekar
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第3期
45.A new algorithm for transforming exponential current ramp breakdown distributions into constant current TDDB space, adn the implcations for gate oxide Q_BD measurement methods

机译：一种将指数电流斜坡击穿分布转换为恒定电流TDDB空间的新算法以及对栅极氧化物Q_BD测量方法的影响
- 作者：N.A.Dumin
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第3期
46.Texture and electromigration lifetime improvements in layered Al-alloy metallization with underlying Ti by controlling water adsorption on SiO_2 substrates

机译：通过控制SiO_2衬底上的水吸附，可以改善具有底层Ti的铝合金层金属化过程中的织构和电迁移寿命
- 作者：Tomoyuki Yoshida;Shoji Hashimoto;Yasuichi Mitsushima
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第3期
47.Slow-trap profiling of NO adn N_2O nitrided oxides grown on Si and SiC substrates

机译：在Si和SiC衬底上生长的NO和N_2O氮氧化物的慢阱轮廓分析
- 作者：Sima Dimitrijev;Philip Tanner;H.Barry Harrison
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第3期
48.Evaluation of reliability of μBGA solder joints through twisting and bending

机译：通过扭曲和弯曲评估μBGA焊点的可靠性
- 作者：U.Daya Perera
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第3期
49.Dislocation dynamics in heterojunction bipolar transistor under current induced thermal stress

机译：电流引起的热应力下异质结双极晶体管的位错动力学
- 作者：C.T.Tsai;L.L.Liou
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第3期
50.New lyout design for submicron CMOS output transistors to improve drivign capabiltiy and ESD robustness

机译：用于亚微米CMOS输出晶体管的新型缓冲设计，以提高驱动能力和ESD鲁棒性
- 作者：M.-D.Ker;T.-Y.Chen;H.-H.Chang
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第3期
51.Oxide thickness dependence of plasma charging damage

机译：氧化物厚度对等离子体充电损伤的依赖性
- 作者：H.-C.Lin;C.-C.Chen;M.-F.Wang
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第3期
52.Random telegraph signal noise instabilities in laticmismatched InGaAs/InP photodiodes

机译：晶格不匹配的InGaAs / InP光电二极管中的随机电报信号噪声不稳定性
- 作者：D.Pogany
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第3期
53.Gate oxide reliability concerns in gate-metal sputtering depostion process: an effect of low-energy large-mass ion bombardment

机译：栅金属溅射沉积过程中对栅氧化物可靠性的关注：低能大质量离子轰击的影响
- 作者：Takeo Ushiki;Mo-Chium Yu;Kunihiro Kawai
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第3期
54.Frequency dependence of the lifetime of a surface micromachined microengine driving a load

机译：驱动负载的表面微机械微引擎寿命的频率依赖性
- 作者：Danelle M.Tanner;William M.Miller;Ken A.peterson
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第3期
55.Improvement of gat edelectric reliabiltiy ofr P＋poly MOS devices using remote PECVD top nitride depositon on ultra-thin (2.4-6 nm)gate oxides

机译：在超薄（2.4-6 nm）栅极氧化物上使用远程PECVD顶部氮化物沉积来提高P + poly MOS器件的栅极介电可靠性
- 作者：Y.Wu;G.Lucovsky
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第3期
56.Voltage transients in electromigration noise measurement data

机译：电迁移噪声测量数据中的电压瞬变
- 作者：L.M.Head;C.Fahrenkrug
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第4期
57.A model of 1/f noise spectrum generaton in granular structures

机译：颗粒结构中1 / f噪声谱生成的模型
- 作者：Keiji Takagi
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第4期
58.Process characterisation of hot-carrier-induced ss degradation in bipolar transistors for BiCMOS

机译：BiCMOS双载子晶体管中热载流子引起的ss退化的过程表征
- 作者：A.Arshak;D.McDonagh;K.I.Arshak
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第4期
59.Development of test vehicles for evaluating plasticencapsulant reliabiltiy and improving tehermal conductivity of encapapsulant materials

机译：开发用于评估塑料密封剂可靠性和改善密封剂材料导热性的测试工具
- 作者：Leonard R.Enlow;Dale W.Swanson;Christine M.Naito
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第4期
60.Single transistor technique for interface trap density measurement in irradiated MOS devices

机译：用于辐射MOS器件中界面陷阱密度测量的单晶体管技术
- 作者：V.S.Pershenkov;S.V.Cherepko;R.E.Ivanov
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第4期
61.A simulation-based semiconductor chip yeld model incorporating a new defect cluster index

机译：结合新的缺陷簇指数的基于仿真的半导体芯片产量模型
- 作者：Chi-Hyuck Jun;Yushin Hong;Soo Young Kim
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第4期
62.Chip Scale Package (CSP) solder joint reliabiltiy and modeling

机译：芯片级封装（CSP）焊点可靠性和建模
- 作者：M.Amagai
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第4期
63.Additial microstructural analysis on the samples examined in the paper `Are high resolution resistometric methods really useful for the early detection of electromigration damage?'

机译：在论文“对高分辨率的电阻测量方法是否真的对早期检测电迁移损伤有用吗？”一文中对样品进行了额外的微观结构分析。
- 作者：R.Balboni;I.de Munari;M.Impronta
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第4期
64.Physical structure of light-emitting porous polycrystalline silicon thin films

机译：发光多孔多晶硅薄膜的物理结构
- 作者：P.G.Han;H.Wong;M.C.Poon
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第4期
65.Threshold voltage modle for deep-submicron fully depleted SOI MOSFETs with back gate substrate induced surface potential effects

机译：深亚微米全耗尽SOI MOSFET的阈值电压模型，具有背栅衬底引起的表面电势效应
- 作者：Mohamed A.Imam;Mohamed;A.OSMAN
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第4期
66.Stress-induced voiding in stacked tungsten via structure

机译：叠层钨过孔结构中应力诱导的空洞
- 作者：Shinichi Komae;Ryuji Eto;Keiji Okuma
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第4期
67.A study of the thermal behavior of different test patterns used in differential high resolution electromigration measurements

机译：差分高分辨率电迁移测量中使用的不同测试图案的热行为研究
- 作者：N.Kelaidis;A.Scorzoni;M.Impronta
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第5期
68.Modeling and measurementapproaches for electrostatic discharge in semiconductor devices and IC:S an overview

机译：半导体器件和IC中静电放电的建模和测量方法：概述
- 作者：J.C.Lee;G.D.Croft;J.J.Liou
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第5期
69.Local t hermal probing to detect open and shorted IC interconnections

机译：局部热探查以检测开路和短路的IC互连
- 作者：Edward I.Cole Jr;Paiboon Tangyunyong;Daniel L.Barton
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第5期
70.Cathodoluminescence and photoluminescence of amorphous silicon oxynitride

机译：非晶态氮氧化硅的阴极发光和光致发光
- 作者：V.A.Gritsenko;Yu.G.Shavalgin;P.A.Pundur
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第5期
71.Reliability of ultratin gate oxides for ULSI devices

机译：超锡栅氧化物在ULSI器件中的可靠性
- 作者：Chun-Yen Chang;Chi-Chun Chen;Horng-chih Lin
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第5期
72.A proposal for a standard procedure for moderately accelerated electromigration tests on metla lines

机译：关于在metla线上进行中等加速电迁移测试的标准程序的建议
- 作者：A.Scorzoni;M.Impronta;I.De Munari
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第5期
73.The prospect of process-induced charging damage in future thin gate oxides

机译：未来的薄栅氧化物中由过程引起的带电损伤的前景
- 作者：Donggun Park;Chenming Hu
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第5期
74.Wafer level backside emission microscopy: sample preparation

机译：晶圆级背面发射显微镜：样品制备
- 作者：Ching-Lang Chiang
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第5期
75.Analysis of external latch-up protection test structure design using numericla simulation

机译：外部闩锁保护测试结构设计的数值模拟分析
- 作者：Kevin Palser;Ann Concannon;Ray Duffy
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第5期
76.Accelerated dielectric brakdown and wear out standard testing methods and structures for reliability evalution of thin oxides

机译：加速电介质击穿和磨损的标准测试方法和结构，用于评估薄氧化物的可靠性
- 作者：G.Ghibaudo;G.Pananakakis;R.Kies
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第5期
77.Wafer level backside emission microscopy: dynamics and effects

机译：晶圆级背面发射显微镜：动力学和影响
- 作者：Ching-Lang Chiang
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第5期
78.Experiences on reliability simulation in the framework of the qPROPHECY project

机译：在qPROPHECY项目框架中进行可靠性仿真的经验
- 作者：Horst Rempp;Oliver Thalau;Andrea Scorzoni
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第5期
79.Test structures and testing methods for electrostatic discharge: results of PROPHECY project

机译：静电放电的测试结构和测试方法：PROPHECY项目的结果
- 作者：G.Meneghesso;E.Zanoni;A.Gerosa
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第5期
80.Remote plasma nitridation, deuterium anneal and pocket implant effects on NMOS hot carrier reliability

机译：远程等离子体氮化，氘退火和口袋注入对NMOS热载流子可靠性的影响
- 作者：Shian Aur;Tak Grider
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第5期
81.Incomplete ionization in a semiconductor and its implicaitons to device modeling

机译：半导体中的不完全电离及其对器件建模的影响
- 作者：G.Xiao
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第8期
82.Failure modes in surface micromachined microelectromechanical actuation systems

机译：表面微机械微机电驱动系统中的故障模式
- 作者：S.L.Miller;M.S.Rodgers;G.La Vigne
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第8期
83.On the extraction of the source and drain series resistances of MOSFETs

机译：关于MOSFET的源极和漏极串联电阻的提取
- 作者：F.J.Garcia Sanchez;A.Ortiz-Conde;J.J.Liou
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第8期
84.Material property, compatibiltiy, and reliability issues in diamond-enhanced, GaAs-based plastic packages

机译：金刚石增强的砷化镓基塑料封装中的材料特性，兼容性和可靠性问题
- 作者：Philip M.Fabis
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第8期
85.Reliability of radio frequency/micorwave power packages: the effects of component materials and assembly processes

机译：射频/微波功率封装的可靠性：组件材料和组装过程的影响
- 作者：Philip M.Fabis
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第8期
86.On the time-dependent degradation of LDD n-MOSFETs under hot-carrier stress

机译：热载流子作用下LDD n-MOSFETs随时间的退化
- 作者：D.S Ang
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第8期
87.Single-quantum well InGaN green light emitting diode degradation under high electrical stress

机译：高电应力下单量子阱InGaN绿色发光二极管的退化
- 作者：Daniel L.Barton;Marek Osinski;Piotr Perlin
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第8期
88.Thin RF sputtered and thermal Ta_2O_5 on Si for hihg density DRAM application

机译：在Si上进行薄射频溅射和热Ta_2O_5，适用于高密度DRAM应用
- 作者：E.Atanassova
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第8期
89.Electrical characteristics of advanced lateral insulated-gate bipolar transistor structures at 77 K

机译：先进的横向绝缘栅双极晶体管结构在77 K时的电学特性
- 作者：M.Vellvehi;X.Jorda;D.Flores
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第8期
90.Analog circuit fault diagnosis based on noise measurement

机译：基于噪声测量的模拟电路故障诊断
- 作者：Yisong Dai;Jiansheng Xu
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第8期
91.Modeling of ionizing irradiation influence on Schottky-gate field-effect transistor

机译：电离辐射对肖特基栅场效应晶体管影响的建模
- 作者：N.V.Demarina;S.V.Obolensky
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第8期
92.Transition of MCM-C applications to MCM-L using rigid flex substrates

机译：使用刚性挠性基材将MCM-C应用过渡到MCM-L
- 作者：James Keating
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第9期
93.1/f noise due to temperature fluctuations in heat conduction in bipolar transistors

机译：由于双极型晶体管的热传导温度波动而产生的1 / f噪声
- 作者：L.Forbes;M.S.Choi;W.Cao
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第9期
94.Functional AlGaAs/GaAs heterostructure-emitter bipolar transistor with a pseudomorphic InGaAs/GaAs quantumwell base

机译：具有拟态InGaAs / GaAs量子阱基极的功能性AlGaAs / GaAs异质结发射极双极晶体管
- 作者：Jung-Hui Tsai
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第9期
95.Characterization of chip scale packaging materials

机译：芯片级封装材料的表征
- 作者：Masazumi Amagai
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第9期
96.Single chip bumping and reliabiltiy for flip chip processes

机译：单芯片凸块和倒装芯片工艺的可靠性
- 作者：M.Klein;H.Oppermann;R.Kalicki
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第9期
97.Maximum likelihood predictive densities for the inverse Gaussian distribution with applications to reliabiltiy and lifetime predictions

机译：高斯逆分布的最大似然预测密度及其在可靠性和寿命预测中的应用
- 作者：Zhenlin Yang
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第9期
98.A two-layer high density printed circuit board and its reliabiltiy

机译：两层高密度印刷电路板及其可靠性
- 作者：S.Zhang
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第9期
99.Board level reliabiltiy assessment of chip scale packages

机译：芯片级封装的板级可靠性评估
- 作者：Z.P.Wang;Y.M.Tan;K.M. Chua
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第9期
100.Irregular effect of chloride impurities on migration failure reliabilty: contradictions or understandable?

机译：氯离子杂质对迁移失败可靠性的不规则影响：矛盾还是可以理解的？
- 作者：Gabor Harsanyi
- 期刊名称：《Microelectronics & Reliability》 | 1999年第9期

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

客服微信
服务号