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第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会

召开年：1997
召开地：青岛
出版时间： 1997-09

主办单位：;中国电子学会;;

会议文集：中国电子学会论文集第十届全国半导体集成电路硅材料学术会论文集(下)

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1.高深宽比硅槽刻蚀工艺研究
- 万建伟
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 多晶硅;
2.金属化布线电徙动试验中的测温方法
- 孙英华
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 冷阴极电子源;
3.计算机模拟电子散射及显影剖面研究
- 梁俊厚
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 多孔硅;
4.栅氧厚度对小尺寸MOS器件可靠性的影响
- 张炯
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 晶闸管;
5.体硅微加工技术在微孔通道电子倍增器制造中的应用
- 姜德龙
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 硅槽;
6.低压和超低压反渗透膜在超纯水中的应用
- 闻瑞梅
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 离子腐蚀;
7.PBT结构及制备工艺研究
- 张国炳
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 红外探测器;
8.微结构Si-Ta<,2>N热偶型微波功率传感器研制
- 陈德勇
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：采用标准的半导体硅平面工艺以及单晶硅的各向异性腐蚀技术，研制出微结构的Ｓｉ－Ｔａ〈，２〉Ｎ热电偶微波功率传感器芯片。
- 兼容器件;
9.双极大功率晶体管可靠性的提高
- 潘宏菽
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文介绍了一种工作在感性负载下的浅结、窄基区硅大功率双极型晶体管，并给出了提高晶体管抗烧毁的几种措施。
- 沟道;
10.硅微机械结构的外延生长
- 邓礼生
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 硅光电探测;
11.集成电路互连电迁移失效模拟软件
- 顾页
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 薄膜;
12.多晶硅TFT关态时的寄生双极晶体管效应
- 刘晓彦
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：在晶粒间界缺陷态的场致发射理论的基础上，考虑了多晶硅ＴＦＴ关态时的寄生双极晶体管效应，提出了一个简单的物理模型，得到了关态电流与栅压、漏压、温度及沟道长度、宽度等的依赖关系，在晶粒间界缺陷态的场致发射理论的基础上较为全面地描述了多晶硅ＦＴＦ的特性。
- SOI退火推进;
13.用显微拉曼光谱方法测量
- 高玉芝
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文用显微拉曼光谱方法对形成在多晶硅衬底上的不同厚度的ＣｏＳｉ〈，２〉薄膜所引起的应力进行了测量，并结合采用最新发展的ｍａｐｐｉｎｇ成象技术对实际器件中不同尺寸的ＣｏＳｉ〈，２〉薄膜与应力大小之间的关系做了初步的研究。
- 电徙动;
14.CMOS-SEED多芯片集成光电子灵巧象素
- 陈弘达
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 双极-MOS器件;
15.用差分亚阈值摆幅分析方法研究沟道热电子效应引起的Si/SiO<,2>界面陷阱
- 谭长华
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 集成电路;
16.高能质子对晶闸管的辐照效应研究
- 何维
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该实验用高能质子辐照ＫＫ２００Ａ晶闸管，测量辐照前后晶闸参数变化，以退火后各参数变化；并与１２ＭｅＶ电子辐照后的ＫＫ２００Ａ晶闸管比较，重点放在ｔｑ参数调整上，初步探索用较低能量与注量的质子辐照代替电子辐照的可行性。
- γ辐照;
17.γ辐照制备快速器件
- 黄千驷
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- LDD-CMOS器件;
18.深亚微米LDD-CMOS器件特性研究
- 许军
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- N,2气;
19.辐射加固54HC系列集成电路的研制
- 胡浴红
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 芯片;
20.一种电话机防盗打及防窃听单片集成电路SA014
- 龚剑波
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：介绍一种单片式电话机防盗打及防窃听集成电路ＳＡ０１４的设计与应用。
- 专用集成电路;
21.DOFMCT的电子辐照研究
- 李学宁
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文对电子辐照以缩短ＤＯＦＭＣＴ的关断时间和对正向压降的影响进行了分析。
- MOS器件;
22.微米级MOS器件LDD工艺方案的研究及其特性比较
- 许军
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 反渗透膜;
23.硅化钛双层多晶硅自对准工艺
- 孙微风
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：介绍了一种硅化钛双层多晶硅自对准工艺技术。
- V槽隔离;
24.硅外延片及其器件芯片洁净度的优化研究
- 曾庆城
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- SIMOX;
25.全自动反应离子腐蚀实验研究
- 袁明文
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文介绍全自动反应离子腐蚀Ｓｉ片的实验研究工作。
- LIGA技术;
26.双降场区RESURFLDMOS
- 扬健
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文提出一种与结隔离智能功率集成电路（ＳｍａｒｔＰｏｗｅｒＩＣ．，ＳＰＩＣ）工艺兼容的双降场区ＲＥＳＵＲＦＬＤＭＯＳ结构，二维器件模拟表明该结构能有效地降低高压ＬＤＭＯＳ的表面电场，提高其耐压。
- 电子辐照;
27.N<,2>气携带HF氧化特性研究
- 谭开洲
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 辐射加固;
28.超高速双极电路连线的传输延迟
- 莫邦燹
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 实验设计;
29.低漏电硅探测器的研制
- 王勇
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文主要介绍了他们研制的低漏电全耗尽型高阻硅探测器。
- RESURF;
30.STM大气中对PMMA曝光
- 田如江
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：ＳＴＭ大气中对２０ｎｍ厚ＰＭＭＡ进行曝光。
- 计算机模拟;
31.无平面结敏感区及栅控制硅光电探测器
- 李晓军
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 微加工技术;
32.移相掩模曝光模拟技术
- 陈宝钦
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 硅化钛自对准;
33.快速热处理技术在集成电路制造上的应用
- 何德湛
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文主要介绍快速热处理（ＲＴＰ）技术，包括在高速双极ＩＣ的快速热退火（ＲＴＡ）、Ｔｉ金属与Ｓｉ形成低阻的ＴｉＳｉ〈，２〉接触同时，其上表面形成防止Ａｌ往Ｓｉ中渗透的阻挡层ＴｉＮ的ＲＴＰ，及ＥＥＰＲＯＭ隧道薄栅的快速热氧化（ＲＴＯ）、和用Ｎ〈，２〉Ｏ加固薄栅用的快速热氮化（ＲＴＮ）等方面的应用。
- 硅单晶抛光片;
34.国外SOI技术的最近研究与发展动态
- 闵靖
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 绒面膜;
35.双层多晶数模混合CMOS专用集成电路工艺的研究
- 王剑峰
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 热处理技术;
36.应用电荷泵技术测量界面态的空间分布
- 杨晓东
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 计算机辅助系统;
37.多晶Ge<,X>Si<,1-X>非晶化热氧化性质的研究
- 江宁
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- Si基SiGe;
38.刷片对硅单晶抛光片表面质量的影响
- 赵雪林
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文用ＳＶＧ双面擦片机刷洗经ＲＣＡ工艺清洗后的硅片表面，结果表明，经ＳＶＧ双面擦片机刷洗后的硅片表面的颗粒有明显的减少，经ＴｅｎｃｏｒＳｕｒｆａｃｅＳｃａｎ－１６４测试直径１００ｍｍ的硅片大于０．３ｕｍ的颗粒总数小于１０个／片。
- SOI技术;
39.插入式绒面膜无蜡抛光垫的研究与应用
- 孙振华
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 移相掩模曝光;
40.CMOSIC的统计优化设计
- 甘学温
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：采用实验设计方法与模拟相结合对ＣＭＯＳ集成电路参数进行分析和优化设计，从影响电路参数的多个工艺因素中筛选出２个主要因素，分析工艺因素设置及其起伏对电路参数的影响，建立起电路参数相对主要工艺因素变化的宏模型，并用模型公式找出使电路参数在预期值附近且偏差最小的优化工艺条件。
- 专用集成电路;
41.用LIGA技术制作凸点电极的工艺途径探索
- 张新
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文主要介绍了ＬＩＧＡ这种制作三维结构器件的新技术，着重探究了如何用ＬＩＧＡ技术制作凸点电极。
- 集成电路工艺技术;
42.一个新的MOSFET载流子速度模型
- 奚雪梅
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 专用集成电路;
43.采用负阻电路的GaAsMMIC大调频宽度带通有源滤波器
- 田彤
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：他们采用ＧａＡｓＭＭＩＣ技术研制了一种二阶大调频宽度带通有源滤波器，其中采用了负阻电路及集成化平面变容管。
- 红外扫描法;
44.用红外扫描法测量功率晶体管热阻
- 崔恩录
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 功能块;
45.深亚微米全耗尽SOIMOSFET的短沟效应的研究
- 付军
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文通过分离变量法求解全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的沟道区所满足的二维泊松方程建立了适用于深亚微米器件的阈电压的解析模型。
- MOSFET;
46.一种有效地提高可测性的资源分配算法
- 李丽
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文提出了一种在高层次综合的算子资源分配过程中考虑可测性的方法。
- 电荷泵技术;
47.Si基SiGe外延层中硼注入掺杂研究
- 江若琏
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 集成电路;
48.基于功能块的分离测试生成
- 何新华
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：通过扩展电路分离描述模型，提出了一种含三态门结构和时钟线故障的层次测试生成策略，试图探求一种有效的、实用的时序电路测试生成方法。
- 高层次综合;
49.SIMOX和稀土掺杂硅基薄膜的蓝紫发光效应
- 王水凤
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 多晶Ge,XSi,1-X;
50.矩形槽栅横向功率MOSTET(RLMOS)
- 李平
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文在国际上首次提出了一种ＲＬＭＯＳ器件新结构，与传统ＬＤＭＯＳ相比较，ＲＬＭＯＳ的沟道电阻Ｒ〈，ｃｈ〉降低一倍或一倍以上，并具有单元尺寸小，和Ｃ〈，ｇｄ〉反馈电容小等优点。
- 微波功率;
51.SOI退火推进型栅控混合管(DGCHT)的实验研究
- 黄如
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- PBT结构;
52.统一的MOSFET模型的实现
- 张文良
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 耦合问题;
53.一种计算机辅助的EEPROM单元耐久性的测试系统
- 陈宇川
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 可靠性;
54.逻辑加密卡芯片HX768的设计
- 王月明
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文介绍了ＩＣ卡的一些基本知识的特点，逻辑加密ＩＣ卡的一些基本知识和特点，逻辑加密ＩＣ卡的原理，并在此基础上着重介绍了中国第一张自行研制的逻辑加密ＩＣ卡芯片ＨＸ７６８的设计。
- 专用集成电路;
55.单片数码延迟电路的研制
- 郭懋沁
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 专用集成电路;
56.小波变换的VLSI实现
- 吴晓冬
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- VHDL设计;
57.利用VHDL设计语音识别ASIC中的除法器
- 褚彤
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- FPGA;
58.全耗尽型硅探测器的击穿特性
- 王勇
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文主要介绍了他们研制的全耗尽型硅探测器的反向击穿特性，包括击穿现象、击穿机理以及预防低压击穿的方法等。
- 低漏电硅;
59.深槽隔离技术测试电路版图设计研究
- 赵友洲
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文介绍了关于硅栅ＣＭＯＳ深槽隔离技术的测试器件、电路、图形的版图设计研究。
- 集成电路;
60.集成传感器接口电路设计实现
- 郑学仁
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- IC卡;
61.微波功率锗硅肖特基异质结双极晶体管研究
- 李平
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文提出利用ＳｉＧｅ肖特基ＨＢＴ器件在高频、高速方面的优势提高硅双极型器件的微波功率特性；在解决了在ＳｉＯ〈，２〉窗口上生长高质量大面积ＳｉＧｅ薄膜等关键技术问题之后，采用等平面工艺，研制出工作频率１ＧＨ〈，ｚ〉，输出功率４．５瓦，功率增益６．１ｄＢ的ＳｉＧｅ肖特基ＨＢＴ。
- 微结构Si-Ta,2N;
62.低温、低频、低噪声前置信号处理模块
- 白淑华
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 铝硅;
63.矩形槽栅横向绝缘栅双极晶体管(RLIGBT)
- 李平
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文在国际上首次提出了一种ＲＬＩＧＢＴ器件新结构，分析指出了它较传统ＬＩＧＢＴ在工作电流、开关速度和抗闭锁能力等方面的优点。
- MOSFET;
64.源区短路RMOS器件的导通电阻优势研究
- 李平
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：对含源区短路结构的宽槽间距ＲＭＯＳ器件，首次得出了甚增通电阻在相同工艺条件下是ＶＤＭＯＳ导通电阻四分之一的结论。
- 双极晶体管;
65.PGA132型大规模集成电路外壳的布线设计
- 任怀龙
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文介绍了ＰＧＡ１３２型大规模集成电路外壳的布线设计过程。
- RMOS器件;
66.冷阴极电子源在微波器件上的应用
- 许宁生
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文介绍了国外的冷阴极电子源的研究进展和它们在现代微波器件和系统上的应用。
- 集成电路;
67.红外探测器用蓝宝石窗口片研磨工艺研究
- 谢礼丽
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文分析了影响红外探测器用蓝宝石窗口片质量参数的各种因素，对原有工艺进行了一系列改进，使窗口片质量参数达到预定要求，其中平行度达到：直径≤５ｍｍ，平行度≤３μｍ；直径３２ｍｍ，平行度≤１０μｍ；直径≤５０ｍｍ，平行度１５μｍ。
- 硅探测器;
68.一种双极与P沟JFET兼容器件
- 展明浩
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文介绍了一种双极与Ｐ沟结型场效应管兼容器件工艺，通过版图设计的优化与工艺实验设计优化得到了满足要求的器件。
- 前置信号;
69.Co/Si/Ti/Si固相反应异质外延生长CoSi<,2>(100)薄膜
- 屈新萍
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文报道通过Ｃｏ／Ｓｉ／Ｔｉ／Ｓｉ（１００）多层薄膜固相反应在（１００）Ｓｉ上异质外延生长ＣｏＳｉ〈，２〉薄膜。
- 薄膜;
70.背面多孔硅层对SIMOX/SOI中铜杂质的吸除作用研究
- 竺士炀
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 多孔硅层;
71.一个实现FPGA硬线化设计的开发系统
- 孙自敏
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：ＳＭＰＧＡ是ＦＰＧＡ的一种硬线化设计，是ＦＰＧＡ的最佳低成本替代品。
- 专用集成电路;
72.微机械驱动结构--铝硅双金属驱动膜片的优化设计
- 庞江涛
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 硅微机械结构;
73.V槽隔离与深槽隔离技术
- 王界平
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：简要介绍了可用于高频互补双极工艺的Ｖ槽隔离和先进的深槽隔离技术的研究情况。
- PECVDSiNx薄膜钝化;
74.背面Ar<'+>轰击对快速热氮化SiO<,2>-Si界面特性的影响
- 黄美浅
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 硅外延片;
75.多孔硅吸除技术研究
- 黄宜平
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 离子轰击;
76.混合双极-MOS器件及电路的优化设计
- 侯晓华
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文对一种采用ＣＭＯＳ工艺的混合双极－ＭＯＳ（ＢＭＨＭＴ）器件和电路进行研究，与普通ＭＯＳ器件相比，它具有低阈值电压，高跨导和驱动电流大等优点，可以代替双极型器件作为ＢｉＣＭＯＳ电路的驱动级，作者对ＢＭＨＭＴ的结构及使用进行了优化设计。
- MOS器件;
77.一种用于视频Multi-stepADC的高速隔离模拟开关
- 李世祖
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文报导了一种基于ＤＹＬ（多元逻辑）线性与或门的高速隔离模拟开关，适用于分步方式（Ｔｗｏ－ＳｔｅｐｏｒＭｕｌｔｉ－ｓｔｅｐ）高速视频模数转换器（ＡＤＣ）中。
- 集成传感器;
78.PECVDSiNx薄膜的制备及其对双极晶体管性能的影响
- 周均
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：采用批次平行极板电容耦合热墙式ＰＥＣＶＤ淀积系统、ＳｉＨ〈，４〉和ＮＨ〈，３〉作为反应气体，在等离子激发条件下，进行了ＳｉＮｘ薄膜的淀积研究，并将其用作双极器件的钝化薄膜，发现其对双极晶体管的性能有好的改善。
- 薄膜生长;
79.一种高速可变计数器的设计
- 万天才
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文介绍了一种高速可变计数器的总体设计，电路设计，并给出了研究结果。
- 电话机;
80.Co,Ni,Si薄膜三元固相反应研究
- 莫鸿翔
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文对用离子束溅射形成的Ｎｉ／Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓｉ结构的固相反应进行了研究。
- 金属陶瓷薄膜;
81.双离子束反应溅射在Si(100)衬底上生长(100)CeO<,2>薄膜
- 康晋锋
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 集成电路工艺技术;
82.智能功率集成电路CAD技术
- 李肇基
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 模拟开关;
83.ONO在EEPROM和FLASH单元中的实现
- 吴君华
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文对ＯＮＯ（ＳｉＯ〈，２〉／Ｓｉ〈，３〉Ｎ〈，４〉／ＳｉＯ〈，２〉）叠层进行了实验研究，在ＦＬＯＴＯＸＥＥＰＲＯＭ单元和ＦＬＡＳＨ单元中采用ＯＮＯ作为多晶之间介质层，并讨论了ＯＮＯ带来的好处及应用前景。
- 集成电路工艺技术;
84.深亚微米双掺杂多晶硅栅CMOS器件工艺研究
- 许军
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 集成电路工艺技术;
85.SOI材料制造技术进展
- 任学民
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
- 集成电路工艺技术;
86.采用直流磁控反应溅射获得最佳TCR薄膜电阻工艺
- 叶冬
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文介绍了一种采用掺氮直流磁控反应溅射薄膜电阻工艺，可以显著降低绝对值很大的电阻薄膜正温度系数。
- 集成电路工艺技术;
87.深亚微米全耗尽SOI MOSFET的短沟效应的研究
- 付军;田立林
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文通过分离变量法求解全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的沟道区所满足的二维泊松方程建立了适用于深亚微米器件的阈电压的解析模型。在此基础上，根据该模型，结合采用数值分析方法的器件模拟软件ＭＥＤＩＣＩ及有关的实验数据，对器件的短沟效应进行了研究。
- MOSFET;
- 专用集成电路;
88.PECVD SiNx薄膜的制备及其对双极晶体管性能的影响
- 周均
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：采用批次平行极板电容耦合热墙式ＰＥＣＶＤ淀积系统、ＳｉＨ〈，４〉和ＮＨ〈，３〉作为反应气体，在等离子激发条件下，进行了ＳｉＮｘ薄膜的淀积研究，并将其用作双极器件的钝化薄膜，发现其对双极晶体管的性能有好的改善。经ＰＥＣＶＤＳｉＮｘ薄膜钝化后，晶体管集电极和基极反向击穿电压蠕动和软击穿的现象消失，ＮＰＮ晶体管的小电流放大系数β得到改善，横向ＰＮＰ晶体管的电流放大系数β从原来的３～４提高到６～８。
89.双降场区RESURF LDMOS
- 扬健;李肇基
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文提出一种与结隔离智能功率集成电路（ＳｍａｒｔＰｏｗｅｒＩＣ．，ＳＰＩＣ）工艺兼容的双降场区ＲＥＳＵＲＦＬＤＭＯＳ结构，二维器件模拟表明该结构能有效地降低高压ＬＤＭＯＳ的表面电场，提高其耐压。
90.采用负阻电路的GaAs MMIC大调频宽度带通有源滤波器
- 田彤;李祖华
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：他们采用ＧａＡｓＭＭＩＣ技术研制了一种二阶大调频宽度带通有源滤波器，其中采用了负阻电路及集成化平面变容管。集成化平面变容管用他们自行构造的模型进行了优化设计。滤波器具有２００ＭＨＺ３ｄＢ带宽，６００ＭＨＺ的调频范围。包括偏置电路在内共占用１．６×１．８ｍｍ〈’２〉。
91.一种用于视频Multi-step ADC的高速隔离模拟开关
- 李世祖;石寅
- 《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》 | 1997年
摘要：该文报导了一种基于ＤＹＬ（多元逻辑）线性与或门的高速隔离模拟开关，适用于分步方式（Ｔｗｏ－ＳｔｅｐｏｒＭｕｌｔｉ－ｓｔｅｐ）高速视频模数转换器（ＡＤＣ）中。同时该单元电路可兼作高速、高精度模拟传输门和高速数字逻辑门，并具有低的驱动功率，与ＣＭＯＳ、ＴＴＬ电路工作完全兼容等特点，在高速、高精度场合具有较为广泛的用途。器件采用常规双极工艺制作。